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DCX55-13 发布时间 时间:2025/12/26 10:18:23 查看 阅读:20

DCX55-13是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管,专为高频开关应用而设计。该器件采用SMA(DO-214AC)封装,具有紧凑的尺寸和优良的热性能,适用于高密度PCB布局。DCX55-13利用先进的平面技术制造,确保了稳定的电气特性与高可靠性。其主要功能是在正向偏置条件下提供低电压降,在反向偏置时实现快速恢复响应,从而有效减少功率损耗并提高系统效率。这款二极管广泛应用于电源整流、续流保护、DC-DC转换器以及逆变电路中。由于采用了环保材料并符合RoHS指令要求,DCX55-13也适合用于对环境影响敏感的消费类电子产品中。此外,该器件具备良好的抗浪涌能力,并能在较宽的工作温度范围内稳定运行,增强了其在工业级和汽车电子领域的适用性。

参数

产品类型:肖特基二极管
  配置:单路
  反向耐压(VRRM):40V
  平均整流电流(IO):5A
  峰值浪涌电流(IFSM):60A
  正向压降(VF):典型值0.52V(在5A时)
  最大反向漏电流(IR):500μA(在40V、25°C时)
  反向恢复时间(trr):<30ns
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +125°C
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)

特性

DCX55-13的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的表面贴装封装相结合,使其成为现代高效电源管理系统的理想选择之一。
  首先,该器件基于肖特基势垒原理工作,具备非常低的正向导通压降(VF),通常在5A负载下仅为0.52V左右,显著低于传统PN结二极管。这种低VF特性直接转化为更低的传导损耗,有助于提升整体能效,尤其在大电流工作的DC-DC转换器或同步整流拓扑中表现突出。
  其次,由于肖特基结构本身无少子存储效应,DCX55-13展现出极快的开关速度,反向恢复时间(trr)小于30纳秒,几乎不存在反向恢复电荷(Qrr)。这一特点极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),特别适合用于高频操作环境,如开关电源(SMPS)、PWM控制电路及便携式设备的电池管理系统。
  再者,器件采用SMA封装,体积小巧(约4.3mm x 2.7mm x 2.1mm),便于自动化贴片生产,且具备良好的散热路径,可在-65°C至+125°C的宽结温范围内可靠运行,满足严苛工业和车载应用的需求。同时,其60A的峰值浪涌电流能力提供了对瞬态过流事件的有效防护,增强了系统的鲁棒性。
  最后,DCX55-13符合RoHS标准,不含铅和有害物质,支持绿色环保设计理念。综合来看,该二极管凭借低功耗、高速度、高可靠性及环保合规等多重优势,在通信电源、适配器、LED驱动和太阳能逆变器等领域得到广泛应用。

应用

DCX55-13广泛应用于多种电力电子和信号处理场景中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流二极管,特别是在低压大电流输出的AC-DC和DC-DC转换器中,其低正向压降可显著提升转换效率;作为续流或箝位二极管用于电机驱动、继电器和电感负载电路中,以防止反向电动势损坏主控开关器件如MOSFET或IGBT;在逆变器和UPS系统中承担高频整流任务;也可用于电池充放电保护电路、太阳能光伏板旁路保护以及便携式电子设备的电源管理模块。此外,因其快速响应特性,还适用于某些高频检测和信号解调应用。

替代型号

MBR540,S5J,SRA504SP5}

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DCX55-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)63 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)