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DCX144EU-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 9:21:49 查看 阅读:13

DCX144EU-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低功耗的CMOS型单刀双掷(SPDT)射频开关芯片,广泛应用于无线通信系统中需要高频信号切换的场景。该器件专为在高达6GHz的频率范围内提供优异的射频性能而设计,适用于智能手机、平板电脑、无线局域网(WLAN)、物联网设备以及其他便携式无线终端设备。DCX144EU-7-F采用先进的半导体工艺制造,具有极低的插入损耗和较高的隔离度,确保了在高频工作条件下的信号完整性与传输效率。该器件封装小巧,采用DFN(Dual Flat No-lead)封装形式,尺寸仅为1.5mm x 1.5mm x 0.55mm,非常适合对空间要求极为严格的高密度PCB布局设计。
  DCX144EU-7-F支持正控制逻辑电平,兼容现代数字基带处理器和微控制器的输出电平,可直接由1.8V或3.3V逻辑信号驱动,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计并降低了整体成本。此外,该器件具备良好的静电放电(ESD)防护能力,提高了在实际应用中的可靠性和稳定性。其内部集成了控制逻辑电路和射频路径切换结构,能够在两个射频通道之间实现快速切换,响应时间短,适合动态信号路由的应用需求。由于其出色的线性度和高功率处理能力,DCX144EU-7-F也适用于多频段天线切换、分集接收系统以及射频前端模块(FEM)中作为关键组件。

参数

型号:DCX144EU-7-F
  制造商:Diodes Incorporated
  器件类型:射频开关(SPDT)
  工作频率范围:DC ~ 6GHz
  插入损耗:典型值0.4dB @ 2.4GHz
  隔离度:典型值28dB @ 2.4GHz
  控制电压(Vctl):1.8V ~ 3.3V
  供电电压(Vdd):3.3V(最大5V)
  关断状态电流:<1μA
  输入P1dB压缩点:+35dBm(典型值)
  三阶交调点(IP3):+70dBm(典型值)
  ESD耐受能力:HBM模型±2kV
  封装类型:DFN-6(1.5mm x 1.5mm)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C

特性

DCX144EU-7-F射频开关在高频性能方面表现出色,其在2.4GHz频段下的典型插入损耗仅为0.4dB,这意味着信号通过开关时的能量损失非常小,有助于保持系统的链路预算。同时,在相同频率下,通道间的隔离度可达28dB以上,有效减少了不同射频路径之间的串扰,提升了系统的抗干扰能力和信号纯净度。这种优异的射频特性使其特别适用于Wi-Fi 6(802.11ax)、蓝牙5.x以及Zigbee等短距离无线通信协议中,尤其是在需要频繁切换发射与接收路径或多天线配置的场合。
  该器件采用CMOS工艺结合PIN二极管技术,实现了低功耗与高线性度的平衡。在待机或非激活状态下,其静态电流低于1微安,极大地延长了电池供电设备的工作时间,符合现代移动设备对节能的严苛要求。与此同时,其高线性度指标如输入P1dB压缩点达到+35dBm,三阶交调点(IP3)高达+70dBm,表明其能够承受较高功率的射频信号而不产生明显失真,适用于存在强信号干扰的复杂电磁环境。
  DCX144EU-7-F支持正逻辑控制,即当控制引脚拉高至1.8V或3.3V时,开关将切换到对应的导通通道,操作简单且易于集成。其控制端口具有宽电压兼容性,可在1.8V至3.3V范围内正常工作,适应不同逻辑电平的主控芯片输出,避免了额外的电平转换电路设计。此外,该器件内置上拉或下拉电阻,增强了信号稳定性,防止因悬空引脚导致误动作。
  封装方面,DFN-6的小型化封装不仅节省PCB面积,还具备良好的热导性和电气性能,有利于高频信号的稳定传输。其底部散热焊盘设计可有效将内部热量传导至PCB地层,提升长期运行的可靠性。整个器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对绿色环保的要求。

应用

DCX144EU-7-F广泛应用于各类需要高频信号切换的无线通信设备中。在智能手机和平板电脑中,常用于主天线与分集天线之间的切换,以优化接收信号质量,提高数据吞吐量和通话稳定性。在Wi-Fi路由器、接入点及客户端模块中,该器件可用于双频段(2.4GHz/5GHz)天线的选择或MIMO系统的天线分集控制,确保最佳网络连接性能。
  在物联网领域,尤其是智能家居传感器、可穿戴设备和远程监控终端中,DCX144EU-7-F凭借其低功耗和小尺寸优势,成为实现多协议共存(如同时支持蓝牙和Zigbee)的理想选择。它可以在不同无线模块之间进行射频通路切换,从而共享同一根天线,降低硬件成本和空间占用。
  此外,该芯片也可用于无线音频设备(如TWS耳机)、车载信息娱乐系统、工业无线通信模块以及测试测量仪器中的射频信号路由单元。在基站前端模块、小型蜂窝基站(Small Cell)和射频识别(RFID)读写器中,DCX144EU-7-F同样能发挥其高隔离度和高功率处理能力的优势,保障系统在复杂射频环境下的稳定运行。其高可靠性设计也使其适用于户外设备或工业级应用场景。

替代型号

AP2144L-7-F
  SKY13417-495LF
  PE42642

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DCX144EU-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DCX144EU-FDITR