类型：双共阴极肖特基二极管
　　封装/外壳：SOT-23
　　通道数：2
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流反向电压（VR）：70V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA
　　最大正向压降（VF）：@ IF=10mA: 0.45V, @ IF=50mA: 0.55V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=60V, TA=25°C: 1μA
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

DCRO196265-10 所代表的双共阴极肖特基二极管阵列具备多项关键特性，使其在现代电子设计中表现优异。首先，其核心优势在于采用了肖特基势垒技术，这种金属-半导体结结构显著降低了正向导通电压，通常在 10mA 工作电流下仅为 0.45V 左右，相比传统硅 PN 结二极管（约 0.7V）大幅减少了功率损耗，提升了能源利用效率，尤其适用于电池供电的低功耗系统。
　　其次，该器件拥有极短的反向恢复时间（trr < 4ns），这意味着在高频开关操作中能够迅速从导通状态切换到截止状态，极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），因此非常适合用于高频整流、信号解调和高速开关电路中。这一特性使得它在 DC-DC 转换器、开关电源和数字逻辑接口中表现出色。
　　第三，器件集成两个独立的肖特基二极管于单一 SOT-23 封装内，且采用共阴极连接方式，便于构建双路整流或钳位电路，节省 PCB 面积并简化布局布线。SOT-23 封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程，提高制造效率。
　　此外，该器件具有较高的反向耐压能力（最高 70V），可在多种中低压应用场景中稳定运行。其反向漏电流控制在较低水平（1μA @ 60V），保证了在高温环境下的可靠性。同时，工作结温可达 +150°C，适应严苛的工作环境。该器件符合工业级温度要求，并通过了多项国际环保认证，支持无铅回流焊工艺，满足绿色电子产品的制造标准。

DCRO196265-10 类型的双共阴极肖特基二极管广泛应用于各类消费类电子、通信设备和工业控制系统中。常见用途包括在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中作为电源路径管理元件，实现电池充放电过程中的电压隔离与防倒灌功能。
　　在信号处理电路中，该器件常被用于高速信号整流、交流耦合电平恢复以及 I2C、SPI 等数字总线的上拉钳位保护，防止因过压或静电放电（ESD）导致主控芯片损坏。由于其快速响应能力和低 VF 特性，也常用于构建精密整流电路和峰值检测电路。
　　在电源管理领域，该器件可用于低压同步整流辅助电路、DC-DC 升压或降压转换器中的续流二极管，以及反向极性保护电路。此外，在 LED 驱动电路中，它可以用来防止电流倒流，保护驱动 IC。
　　在射频和无线模块中，这类二极管还可作为检波器或混频器的一部分，利用其非线性伏安特性进行信号处理。总之，凭借其小尺寸、高效率和高可靠性，DCRO196265-10 及其同类产品已成为现代高密度电子系统中不可或缺的基础元件。