制造商：Marki Microwave
　　混频器类型：双平衡无源混频器
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　本振频率（LO）：2 - 13 GHz
　　射频频率（RF）：DC - 4 GHz
　　中频频率（IF）：DC - 4 GHz
　　本振驱动功率：+7 dBm
　　变频损耗：典型值 6.5 dB
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+25 dBm
　　LO-RF隔离度：典型值 30 dB
　　RF-IF隔离度：典型值 25 dB
　　LO-IF隔离度：典型值 35 dB
　　阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　最大RF输入功率：+20 dBm

DBTC-13-4+ 混频器的核心优势在于其基于变压器耦合结构的双平衡拓扑设计，这种架构显著提升了端口之间的隔离度，并有效抑制了输入信号中的偶次谐波分量，从而降低了整体系统的非线性失真。该混频器采用高性能铁氧体磁芯与精密绕制的传输线变压器，实现了从DC到4 GHz的极宽中频带宽以及2至13 GHz的本振激励响应能力，使其在宽带接收系统中具有极高的灵活性。
　　其无源工作模式意味着无需外部供电，不仅简化了系统电源设计，还提高了可靠性，特别适合用于高温、高辐射或空间受限的恶劣环境。该器件的高输入三阶交调截点（IIP3达+25 dBm）表明其在强干扰信号环境下仍能保持良好的线性性能，适用于多载波、高动态范围的应用场景，如电子战系统和频谱监测设备。
　　此外，DBTC-13-4+ 提供了优异的LO驱动稳定性，仅需+7 dBm的本振功率即可实现最佳变频效率，且对LO驱动波动不敏感，降低了对外部本振放大电路的要求。其紧凑的金属-陶瓷封装形式提供了良好的电磁屏蔽能力和热稳定性，确保在宽温范围内（-55°C至+85°C）性能一致。所有端口均内部匹配至50欧姆，减少了外部匹配网络的需求，加快了产品开发周期并提升了系统集成度。
　　由于采用了先进的微波混合工艺和严格的质量控制流程，DBTC-13-4+ 在相位噪声贡献方面几乎可以忽略，不会引入额外的抖动或杂散信号，是高性能模拟前端的理想选择。同时，该混频器具备较强的抗静电（ESD）能力和耐高输入功率特性（最大RF输入可达+20 dBm），增强了现场使用的鲁棒性。这些综合特性使得DBTC-13-4+ 成为高端测试仪器、毫米波通信原型系统以及科研级射频子系统中的关键组件。

DBTC-13-4+ 广泛应用于需要高线性度、宽带响应和低失真的射频系统中。典型用途包括微波通信链路中的上下变频模块，尤其是在X波段和Ku波段的卫星通信地面站中作为下变频混频器使用；在矢量网络分析仪和频谱仪等高端测试测量设备中，用于实现精确的频率转换，保障信号完整性；在雷达信号处理前端，该混频器可用于将接收到的高频回波信号下变频至较低的中频进行数字化处理，得益于其高隔离度和低互调特性，能够有效避免本地振荡泄漏对灵敏度的影响。
　　此外，在宽带软件定义无线电（SDR）平台中，DBTC-13-4+ 可作为通用混频单元，支持多种调制格式和频段切换，适应灵活的波形生成与解调需求。其宽IF带宽特性也使其适用于直接中频采样架构，允许ADC直接对高达4 GHz的中频信号进行采样，简化了后续滤波和放大电路的设计。
　　在科研领域，如射电天文接收机或量子计算控制系统中，该混频器常被用于超低温环境下的信号读出路径，因其无源结构不会产生额外热噪声，且在低温下电气性能稳定。同时，该器件也被集成于毫米波成像系统和安全检测设备中，用于实现高分辨率频域扫描。凭借其出色的电磁兼容性和长期运行可靠性，DBTC-13-4+ 还适用于航空航天与国防领域的电子对抗（ECM/EPD）系统，执行信号侦测、干扰识别和频率合成任务。

MM1-0622L+
　　MIXA-001012
　　DBM-13-4H-S+
　　HMC775A