类型：GaAs FET
　　封装类型：金属封装（TO-126）
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏极-源极电压（VDS）：10V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：-1.5V 至 +0.5V
　　增益（|S21|2）：约 18dB @ 1GHz
　　噪声系数（NF）：约 0.8dB @ 1GHz
　　工作频率范围：最高可达 3GHz
　　输入输出阻抗：50Ω
　　功耗：100mW

DBM-13W3P 的核心特性之一是其在高频下的优异性能。由于采用 GaAs 材料，该晶体管具有高电子迁移率，使得其在 UHF 和微波频段表现出较低的插入损耗和较高的增益。其噪声系数在 1GHz 频率下约为 0.8dB，非常适合用于接收机前端放大器，以提高系统的信噪比。此外，该器件的增益在 1GHz 下可达 18dB，能够有效放大微弱信号。
　　另一个关键特性是其热稳定性和可靠性。DBM-13W3P 采用金属封装（TO-126），不仅具有良好的散热性能，还能有效屏蔽外部电磁干扰，确保信号的稳定性。这种封装形式也使其适用于在恶劣环境条件下工作的设备，例如航空航天、军事通信等高可靠性要求的场景。
　　此外，DBM-13W3P 具有较宽的工作频率范围，最高可达 3GHz，适用于多种高频应用，包括无线通信、雷达系统、测试仪器和射频识别（RFID）等。其 50Ω 的输入输出阻抗匹配特性，使得它能够方便地集成到标准射频系统中，减少外部匹配电路的复杂性，从而简化设计流程并降低整体成本。
　　该晶体管的低功耗特性也使其适用于电池供电设备。在最大功耗仅为 100mW 的情况下，DBM-13W3P 能够提供稳定的高频放大性能，适合用于便携式通信设备和远程传感系统。

DBM-13W3P 主要应用于需要高频率、低噪声放大的电子系统中。常见的应用包括：
　　1. **射频接收机前端**：DBM-13W3P 的低噪声系数和高增益特性，使其成为射频接收机前端放大器的理想选择，能够有效提升接收信号的信噪比，改善系统性能。
　　2. **无线通信系统**：在无线通信设备中，DBM-13W3P 可用于射频信号的放大和处理，特别是在需要高频率稳定性和低噪声的基站、中继站和移动终端中。
　　3. **测试测量仪器**：该晶体管也广泛应用于射频测试仪器中，如频谱分析仪、信号发生器等，用于提供高精度的信号放大和处理。
　　4. **雷达系统**：由于其优异的高频性能和稳定性，DBM-13W3P 也适用于雷达系统的前端放大器，帮助提高雷达的探测精度和灵敏度。
　　5. **射频识别（RFID）系统**：在 RFID 读写器中，DBM-13W3P 可用于放大微弱的射频信号，提高系统的读取距离和稳定性。
　　6. **航空航天与军事通信**：DBM-13W3P 的高可靠性和金属封装特性，使其适用于对可靠性要求极高的航空航天和军事通信系统。

NE4210S01、ATF-54143、BFQ111、BFR181