DBLS201G 时间：2025/8/14 1:09:57 阅读：6

DBLS201G是一款双路低侧MOSFET驱动器，专为高效驱动功率MOSFET或IGBT而设计。该器件广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器、逆变器和各种电源管理应用中。DBLS201G采用高性能CMOS技术制造，具有低延迟、高驱动能力和宽工作电压范围等优点。其封装形式通常为16引脚TSSOP或类似的小外形封装，适用于紧凑型电源系统设计。

参数

类型：双路低侧MOSFET驱动器
　　工作电压范围：4.5V ~ 20V
　　输出电流能力：每通道最大拉电流/灌电流为0.3A / 0.5A
　　传播延迟时间：典型值约15ns
　　上升/下降时间：典型值小于10ns（取决于负载）
　　输入逻辑电平兼容：TTL/CMOS兼容
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：TSSOP-16

特性

DBLS201G采用先进的CMOS工艺制造，具有出色的抗干扰能力和稳定性，能够在高频条件下可靠工作。其双通道独立驱动结构使其非常适合用于H桥、半桥和全桥拓扑结构中的低侧驱动。该芯片具有较低的静态功耗，在高效率系统设计中具有显著优势。
　　该驱动器内置欠压锁定（UVLO）功能，当供电电压低于安全阈值时，自动关闭输出以保护功率器件。此外，DBLS201G具备较强的抗闩锁能力，确保在复杂电磁环境下稳定运行。
　　在时序控制方面，DBLS201G的传播延迟非常短且通道间匹配良好，有助于减少死区时间并提高系统效率。该芯片的输入端设有施密特触发器，能够有效抑制输入信号中的噪声干扰，提升系统的可靠性和鲁棒性。
　　由于其宽泛的工作电压范围，DBLS201G可以适配多种类型的功率MOSFET和IGBT，适应不同功率等级的应用需求。其封装形式便于PCB布局，并具有良好的散热性能，适合在高密度电源模块中使用。

应用

DBLS201G主要应用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS系统、工业自动化设备以及车载电子系统等。在电机控制领域，该芯片可用于驱动H桥结构中的低侧MOSFET，实现对电机方向和速度的精确控制。在开关电源中，DBLS201G常用于同步整流、功率因数校正（PFC）电路等关键部位。