DBBSM75GB120DLC30 是一款由东芝(Toshiba)生产的双路IGBT模块,专为高功率应用设计。该模块集成了两个IGBT(绝缘栅双极晶体管)芯片和对应的反并联二极管,采用高性能硅技术,具有低导通压降和开关损耗,适用于需要高效能和高可靠性的工业和能源系统。
型号: DBBSM75GB120DLC30
集电极-发射极电压(VCES): 1200V
额定集电极电流(IC): 75A
短路耐受电流: 150A
导通压降(VCE_sat): 典型值2.1V(在IC=75A时)
最大工作温度: 150°C
热阻(Rth): 绝缘基板与散热器之间的热阻为0.43°C/W
封装形式: 双列直插式(DIP)塑料封装
认证标准: 符合RoHS标准
DBBSM75GB120DLC30 具有多个显著的电气和热性能优势。首先,它的低导通压降减少了导通状态下的功率损耗,从而提高了整体系统效率。其次,该模块采用了先进的硅技术,使得开关损耗降低,特别适用于高频开关应用。此外,该模块的热阻较低,使得热量能够更有效地传导到散热器,从而延长了模块的使用寿命。
其双路IGBT结构允许在一个封装内实现两个独立的IGBT单元,这在全桥或半桥拓扑中非常有用,减少了外部电路的复杂性并提高了系统的紧凑性。同时,模块内部集成了反并联二极管,提高了在感性负载切换时的可靠性。
该模块还具备较高的短路耐受能力,能够在极端条件下提供额外的安全裕量,从而增强系统的稳定性。最后,其封装设计符合RoHS标准,确保了环保性能,适用于对环保要求较高的工业应用。
DBBSM75GB120DLC30 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如,它广泛用于工业电机驱动器、变频器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等场景。其双路IGBT结构特别适合用于构建全桥或半桥拓扑,提供高效的功率转换能力。
此外,该模块在电焊机、感应加热设备和电力调节系统中也有广泛应用。由于其优异的热性能和高短路耐受能力,DBBSM75GB120DLC30 能够在苛刻的工作环境中保持稳定运行,满足工业自动化和能源管理系统对高性能功率器件的需求。
DBBSM75GB120DLC30的替代型号包括DBBSM75GB120DLC、DBBSM75GB120DLG、DBBSM75GB120DLH等。