类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：最大40mΩ
　　输入电容（Ciss）：约1900pF
　　

DB51221-1R 具备一系列出色的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下最小的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件的高栅源电压容限（±20V）提供了良好的栅极控制稳定性，减少了意外过压损坏的风险。
　　此外，DB51221-1R采用TO-220封装，这种封装形式具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片，从而延长器件的使用寿命。其高连续漏极电流能力（30A）使得该MOSFET适用于高功率负载的开关控制，如电机驱动和电源转换系统。
　　在高频应用中，DB51221-1R的输入电容（Ciss）约为1900pF，这使得其在开关过程中具有较快的响应速度，降低了开关损耗。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其能够在各种环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。

DB51221-1R 主要应用于需要高功率处理能力和高效能的电子系统中。常见的应用包括：DC-DC转换器中的开关元件，用于调节和稳定输出电压；电机驱动电路中的功率开关，用于控制电机的速度和方向；以及工业自动化设备中的电源管理模块，用于提高能源利用效率。
　　此外，该MOSFET也广泛用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）。由于其良好的热稳定性和高可靠性，DB51221-1R也常用于电源供应器和不间断电源（UPS）系统中，确保在高负载条件下系统的稳定运行。

Si4410DY-T1-GE3, IRFZ44N, FDP6675, IPD65R900C6ATMA1