时间：2025/4/30 9:54:26
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DB2W31800L是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、大电流的应用场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等。
最大漏源电压：1800V
最大连续漏极电流：3.1A
导通电阻：5.5Ω
栅极电荷：36nC
反向恢复时间：90ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
DB2W31800L具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达1800V的漏源电压。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，可以有效降低开关损耗。
4. 内置保护功能，包括过流保护和热关断保护，从而增强了器件的可靠性。
5. 小型化封装设计，便于在紧凑空间内使用。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
DB2W31800L广泛应用于多种领域：
1. 工业设备中的高压开关电源。
2. 新能源领域，例如太阳能逆变器和风力发电系统。
3. 电动汽车中的电池管理系统（BMS）和电机驱动控制。
4. 不间断电源（UPS）和应急照明系统。
5. 各种DC-DC转换器和AC-DC转换器。
6. 高效电机驱动和工业自动化控制。
STGW30H17MD, IRG4PH18KD, FDP18N18S
