DAP07D是一款由东芝(Toshiba)推出的功率MOSFET器件,广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。这款MOSFET以其高性能、高可靠性和低功耗特性而著称,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。DAP07D采用了先进的沟槽式(Trench)MOSFET技术,提供了优异的导通电阻和开关性能,有助于提升整体系统的效率和稳定性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):120A
最大漏-源电压(VDS):30V
导通电阻(RDS(on)):3.7mΩ(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2.0V ~ 4.0V
最大功耗(PD):160W
封装形式:D2PAK
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
DAP07D具备多项优异特性,包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关响应。其低RDS(on)设计显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。此外,该器件采用了先进的封装技术,具有良好的热管理性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。DAP07D还具备较高的短路耐受能力,增强了器件在严苛工况下的可靠性。该MOSFET的封装形式为D2PAK,便于安装和散热,适用于高功率密度设计。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽,适应性强,可与多种驱动电路兼容。
在应用方面,DAP07D特别适合用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)和电机驱动器。其低开关损耗和出色的热稳定性使其在高频开关应用中表现出色。同时,DAP07D还具有良好的抗静电能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作,提高了系统的整体可靠性。
DAP07D广泛应用于多种电力电子系统,包括但不限于:工业电源、服务器电源、电信设备电源、DC-DC模块、电池充电器、电机控制电路、负载开关以及汽车电子系统。在汽车应用中,该器件可用于车载充电系统、电动助力转向(EPS)控制器和车身控制模块。此外,DAP07D还可用于高性能计算设备的电源管理单元,确保系统的稳定运行和高效能表现。
Si7461DP, IRF1404, FDP070N10, Nexperia PSMN1R0-30YLC