DAP07D 时间：2025/9/2 21:23:47 阅读：28

DAP07D是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET器件，广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中。这款MOSFET以其高性能、高可靠性和低功耗特性而著称，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。DAP07D采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，有助于提升整体系统的效率和稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：160W
　　封装形式：D2PAK
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C

特性

DAP07D具备多项优异特性，包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关响应。其低RDS(on)设计显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，该器件采用了先进的封装技术，具有良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。DAP07D还具备较高的短路耐受能力，增强了器件在严苛工况下的可靠性。该MOSFET的封装形式为D2PAK，便于安装和散热，适用于高功率密度设计。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，适应性强，可与多种驱动电路兼容。
　　在应用方面，DAP07D特别适合用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）和电机驱动器。其低开关损耗和出色的热稳定性使其在高频开关应用中表现出色。同时，DAP07D还具有良好的抗静电能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作，提高了系统的整体可靠性。

应用

DAP07D广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于：工业电源、服务器电源、电信设备电源、DC-DC模块、电池充电器、电机控制电路、负载开关以及汽车电子系统。在汽车应用中，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）控制器和车身控制模块。此外，DAP07D还可用于高性能计算设备的电源管理单元，确保系统的稳定运行和高效能表现。