DAN235E 时间：2025/12/25 13:10:37 阅读：15

DAN235E是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道MOSFET晶体管，采用SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装。该器件专为需要高效率、低功耗和紧凑设计的电源管理及信号开关应用而设计。DAN235E内部集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET，使得其在空间受限的应用中能够实现双路控制或负载切换功能。由于其小尺寸和高性能特性，DAN235E广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、逻辑电平转换、LED驱动以及各类低电压开关电路中。
　　该器件的工作电压范围适中，具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。其栅极阈值电压也经过优化，兼容常见的3.3V和5V逻辑电平，便于与微控制器、数字信号处理器或其他逻辑IC直接接口，无需额外的电平转换电路。此外，SOT-23封装具有良好的热性能和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。
　　DAN235E符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于对环境和安全要求较高的工业和消费类电子产品。数据手册中提供了详细的电气特性、热性能参数以及安全工作区（SOA）信息，供工程师进行精确的电路设计与热管理分析。总体而言，DAN235E是一款高性价比、高集成度的小信号MOSFET解决方案，特别适合追求小型化和高效能的设计需求。

参数

型号：DAN235E
　　类型：双N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　制造商：Diodes Incorporated
　　通道数：2
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（单个FET）：300mA
　　脉冲漏极电流IDM：1.2A
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=10V：450mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：650mΩ
　　栅极阈值电压Vth：Min 1.0V, Typ 1.4V, Max 2.0V
　　输入电容Ciss：Typ 28pF
　　反向传输电容Crss：Typ 7pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻RθJA：350°C/W
　　极性：N-Channel
　　配置：独立双通道
　　安装类型：表面贴装

特性

DAN235E的双N沟道MOSFET结构提供了出色的开关性能和低导通损耗，尤其适用于低电压、低电流的开关控制场景。其每个FET的漏源电压额定值为30V，能够在大多数电池供电系统中稳定运行，例如使用单节或双节锂电池的应用。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻为450mΩ，在VGS=4.5V时为650mΩ，这表明其在较低的驱动电压下仍能保持良好的导通能力，非常适合由3.3V或5V逻辑输出直接驱动的场合。这种低门槛驱动特性减少了对外部驱动电路的需求，简化了整体设计复杂度。
　　器件的栅极阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了可靠的开启与关断行为，同时避免因噪声引起的误触发。输入电容仅为28pF，反向传输电容为7pF，意味着其具有较快的开关速度和较低的驱动功耗，适用于高频开关操作，如PWM调光控制或高速信号切换。此外，低电容特性也有助于减少电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（约2.8mm x 1.6mm x 1.45mm），而且具备良好的散热性能，尽管其热阻RθJA高达350°C/W，但在合理布局PCB走线、增加铜箔面积的情况下，仍可有效散除工作时产生的热量。器件支持最高+150°C的结温，适用于宽温环境下的工业级应用。每个FET可承受300mA的连续漏极电流，短时脉冲电流可达1.2A，使其能够驱动小型继电器、LED阵列或传感器模块等轻负载设备。
　　此外，DAN235E采用环保材料制造，符合RoHS指令和无卤素要求，满足现代电子产品对绿色制造的标准。其高可靠性和稳定性使其在消费电子、通信模块、智能家居设备和便携医疗仪器中得到广泛应用。数据手册中还提供了详细的SOA曲线，帮助设计者评估在不同电压和电流组合下的安全工作边界，防止器件因过载而损坏。

应用

DAN235E广泛应用于需要双路独立控制的小功率开关电路中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换或外设电源控制。由于其低导通电阻和低驱动电压特性，它常被用于逻辑电平转换电路，实现不同电压域之间的信号传递，比如将3.3V MCU GPIO信号转换为5V系统可用的电平。此外，该器件也适用于LED背光或多色LED的独立控制，利用两个FET分别驱动不同的LED通道，实现色彩混合或亮度调节功能。
　　在电机控制方面，DAN235E可用于微型直流电机的方向切换或启停控制，尤其是在玩具、微型泵或风扇等低功率设备中。其快速开关能力和低延迟响应使其适合用于高频PWM调制控制，以实现精确的速度或功率调节。另外，该器件还可作为模拟开关使用，在音频信号路由、传感器多路复用或ADC前端信号选择中发挥作用。
　　工业自动化领域中，DAN235E可用于PLC输入/输出模块中的信号隔离与驱动，或作为继电器驱动器的前置开关级，降低主开关器件的负担。在通信设备中，它可以用于SIM卡接口、USB电源开关或I2C总线上拉控制等功能模块。得益于其小型封装，DAN235E特别适合高度集成的模块化设计，如Wi-Fi/BT combo模块、GNSS接收器或传感器融合单元。总之，任何需要高效、小型化且成本可控的双路N沟道MOSFET解决方案的场合，DAN235E都是一个理想的选择。