型号：DAN222WM
　　类型：NPN
　　封装：SOT-323 (SC-85)
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：60V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC=2mA, VCE=5V）
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　存储温度范围：-55°C～+150°C

DAN222WM具备优异的高频性能和稳定的直流增益特性，是高频小信号放大和高速开关应用的理想选择。
　　该晶体管的过渡频率（fT）高达250MHz，意味着其在高频环境下仍能保持良好的增益响应，适用于射频信号放大和高速数据处理电路。其直流电流增益（hFE）范围宽达70至700，在不同工作电流下均能提供可靠的放大能力，特别适合需要多级增益匹配的模拟电路设计。该器件在低电流工作状态下（如IC=2mA）即可实现高hFE，有助于降低系统功耗，提升能效，因此非常适合电池供电设备。
　　DAN222WM采用SOT-323封装，尺寸仅为2.0mm × 1.25mm × 1.1mm，极大节省了PCB布局空间，支持高密度贴装和自动化回流焊工艺。其热阻特性良好，能够有效将内部热量传导至PCB，避免局部过热导致性能下降或失效。该器件还具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关模式下可减少能量损耗，提高整体效率。
　　在可靠性方面，DAN222WM通过严格的工业级测试，包括高温反向偏置寿命试验、温度循环和湿度耐久性测试，确保长期使用的稳定性。其最大集电极-发射极电压为60V，可在中等电压应用中安全运行，例如电源控制、LED驱动或逻辑电平转换电路。此外，该晶体管对静电敏感度较低，具备一定的抗ESD能力，增强了在实际生产与使用过程中的鲁棒性。
　　由于采用无铅封装和符合RoHS指令的设计，DAN222WM满足现代电子产品对环保的要求，适用于出口型产品及绿色电子制造流程。综合来看，DAN222WM凭借其高频响应、高增益、小尺寸和高可靠性，成为众多消费类电子和通信设备中不可或缺的核心元件之一。

DAN222WM广泛应用于各类需要小信号放大或高速开关功能的电子电路中。
　　在无线通信领域，该晶体管可用于UHF/VHF频段的小信号放大器，例如FM接收机、无线遥控模块和物联网传感器节点中的射频前端电路。其250MHz的过渡频率使其能够有效处理数百兆赫兹范围内的信号，确保信号不失真地进行初级放大。
　　在音频设备中，DAN222WM常用于前置放大电路或耳机驱动电路，利用其高hFE特性实现微弱音频信号的有效放大，提升信噪比和音质表现。此外，在便携式播放器、智能音箱和语音识别模块中也常见其身影。
　　在数字逻辑电路中，该器件可作为电平转换器或驱动三极管使用，连接微控制器与外围设备，例如驱动LED指示灯、继电器或MOSFET栅极。其快速开关能力和低饱和压降有助于减少延迟和功耗，提高系统响应速度。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制板中，DAN222WM用于各类传感器接口电路，实现模拟信号调理或状态切换控制。其SOT-323封装便于SMT贴装，适应现代化大批量生产需求。
　　此外，该晶体管还可用于电源管理电路中的线性稳压反馈环路、过流检测开关以及电池充电控制模块。在工业控制和汽车电子辅助系统中，尽管不直接参与主功率路径，但在信号隔离、状态监测和故障报警电路中发挥重要作用。总体而言，DAN222WM以其通用性和高性能，成为现代电子设计中广泛应用的基础元器件。

MMBT2222A
　　PZT2222A
　　KSC2222M
　　BC847B