时间：2025/7/8 22:35:33
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DAN222M是一种高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于需要高效率和快速开关特性的应用中。其设计优化了导通电阻和栅极电荷，从而实现了较低的功率损耗和更高的系统效率。DAN222M适用于广泛的工业和消费类电子领域，包括开关电源、电机驱动以及负载开关等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：17A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：480pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
DAN222M具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高整体能效。
它还具备出色的热稳定性和耐雪崩能力，可以在严苛条件下可靠运行。
快速开关速度减少了开关损耗，使得此器件非常适合高频应用。
DAN222M采用行业标准封装形式，便于设计和生产中的使用。
DAN222M广泛应用于各种电力电子设备中，例如DC-DC转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能微逆变器等。
此外，它也常见于电动工具、家用电器及汽车电子系统的功率控制部分。
由于其高效性能和坚固耐用的设计，DAN222M成为许多高功率密度解决方案的理想选择。
DAN222L, IRFZ44N, FDP5500
