时间：2025/12/25 10:15:31
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DAN217UMTL是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的表面贴装小信号肖特基势垒二极管，采用UMT3（SOT-457）小型封装。该器件专为高频、低电压应用设计，具有快速开关特性、低正向电压降和高可靠性，广泛应用于便携式电子设备、通信模块、电源管理电路以及信号整流与保护电路中。DAN217UMTL属于双二极管配置，内部集成两个独立的肖特基二极管，通常以共阴极或串联方式连接，具体取决于产品版本。其紧凑的封装尺寸使其非常适合空间受限的高密度PCB布局。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和抗静电能力，适合自动化贴片生产流程。由于其优异的高频响应性能，常用于射频检波、逻辑电平移位、反向电压保护及AC-DC信号处理等场景。
类型：双肖特基二极管
配置：双二极管
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大直流反向电压（VR）：30V
最大正向电流（IF）：100mA
峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
最大正向电压降（VF）：@ IF = 10mA 时典型值 0.33V
最大反向漏电流（IR）：@ VR = 30V 时最大值 1μA
结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装/包：UMT3 (SOT-457)
安装类型：表面贴装 (SMD)
DAN217UMTL的核心优势在于其采用肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降（VF），在典型工作条件下（IF = 10mA）仅为0.33V左右，显著低于传统PN结二极管（如1N4148的约0.7V）。这一特性极大地降低了功耗，在电池供电设备中尤为关键，有助于延长续航时间。同时，低VF也意味着更少的热量产生，提升了系统整体的能效比和热稳定性。该器件具备非常快的反向恢复时间（trr），虽然具体数值未在所有资料中标明，但作为肖特基二极管，其恢复速度远超普通整流二极管，能够胜任高达数百MHz甚至GHz级别的高频开关操作。这使得DAN217UMTL非常适合用作高速数字电路中的信号钳位、ESD保护、以及射频前端的信号检波与解调。
DAN217UMTL的双二极管设计提供了更高的集成度，在有限的PCB面积内实现两个功能单元，节省了布板空间并简化了设计复杂度。其UMT3（SOT-457）封装仅有6个引脚，体积小巧，非常适合智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等对尺寸要求严苛的应用。该器件具有良好的反向漏电流控制能力，在室温下最大仅1μA，确保在关断状态下几乎不产生额外功耗，提高了系统的待机效率。此外，它拥有宽泛的工作结温范围（-55°C ~ +150°C），表现出优异的环境适应性，可在恶劣工业环境下稳定运行。ROHM的制造工艺保证了产品的一致性和高可靠性，支持回流焊工艺，适用于现代SMT生产线，保障了大批量生产的良率和效率。
DAN217UMTL被广泛应用于多种消费类与工业类电子产品中。在移动通信领域，它常用于手机、平板电脑中的天线切换电路、射频信号检测与保护，以及SIM卡接口的静电放电（ESD）防护。在电源管理系统中，可用于低压差电源轨的防反接保护、电池充放电路径的隔离二极管，以及DC-DC转换器中的辅助整流。在数字逻辑电路中，该器件可作为电平移位器使用，将不同电压域的信号进行耦合与匹配，防止过压损坏敏感IC。此外，它也常见于各类传感器信号调理电路中，用于信号整流、噪声抑制和瞬态电压吸收。在便携式医疗设备、智能家居控制器、物联网网关等嵌入式系统中，DAN217UMTL凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性，成为不可或缺的基础元器件之一。
RB751S40T1U
RB751V40T1U
BAT54CWT1G
DMN2170L
DAP217U
