时间：2025/5/20 15:47:42
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DAN217T146 是一款高性能的 N 沆道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，广泛应用于需要高效能和低功耗的设计场景中。
这种型号属于逻辑电平驱动系列，能够在较低的栅极电压下实现高效的开关操作，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N 沆道通 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
持续漏极电流（Id）：80 A
导通电阻（Rds(on)）：4.5 mΩ
栅极电荷（Qg）：85 nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
DAN217T146 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用环境。
3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗并提升动态响应。
4. 较宽的工作温度范围，适应极端条件下的使用需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设计要求。
6. 良好的热稳定性，确保长时间运行时的可靠性。
DAN217T146 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换电路。
2. 电机驱动器中的逆变器和控制器。
3. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的点火控制和电源分配。
6. LED 照明系统的调光和驱动电路。
DAN217T1G, IRFZ44N, FDP55N10
