DAN217N3 时间：2025/12/25 23:54:49 阅读：11

DAN217N3是一款由Panasonic（松下）公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），广泛应用于高频开关电源、整流电路和信号检测等场景。该器件采用小型化SOD-123FL封装，具有低正向压降、快速恢复时间和高效率的特点，适合对空间和能效有严格要求的现代电子设备。DAN217N3的主要设计目标是在低压直流电路中实现高效的电流单向导通，同时最大限度地减少功率损耗。其结构基于先进的硅半导体工艺，确保在高温和高负载条件下仍能稳定工作。该二极管常用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理模块，也适用于DC-DC转换器、逆变器、电池充电电路以及各种需要高效整流功能的消费类电子和工业控制设备。由于其优异的热性能和可靠性，DAN217N3符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，因此也可用于汽车电子系统中的辅助电源或LED照明驱动电路。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　配置：单路
　　反向耐压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：0.5A
　　最大正向压降（VF）：0.48V @ 200mA
　　最大反向漏电流（IR）：100nA @ 25°C
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　热阻抗（RθJA）：350℃/W
　　安装类型：表面贴装
　　极性：阴极为标记端

特性

DAN217N3的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒来实现单向导电性，相较于传统的PN结二极管，具备更低的正向导通电压和更快的开关速度。其典型正向压降仅为0.48V，在200mA的工作电流下显著降低了功耗，提高了整体系统的能量转换效率。这一特性使其特别适用于低电压、高效率的DC-DC转换器中作为续流二极管或整流元件。
　　此外，DAN217N3具有极短的反向恢复时间（trr < 10ns），几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中不会产生明显的开关损耗或电磁干扰，有助于提升电源系统的稳定性与噪声性能。该器件的最大重复反向电压为30V，足以满足大多数低压电源系统的需求，例如USB供电、锂电池供电设备及车载12V系统。
　　SOD-123FL封装不仅体积小巧（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能和机械强度，支持自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局。产品经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级（MSL1）评估，确保在严苛环境下的长期稳定性。DAN217N3还具备出色的抗静电能力（ESD保护达±2kV HBM），增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。综合来看，该器件在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代微型化、高能效电子产品的理想选择之一。

应用

DAN217N3广泛应用于多种电子领域，尤其适合对空间和效率要求较高的便携式设备和电源管理系统。常见应用场景包括手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC升压或降压电路，作为续流二极管防止电感反冲电压损坏主控芯片；在AC-DC适配器和USB充电模块中用于低压整流环节，提高转换效率并降低发热。该器件也常用于电池充放电保护电路中，作为防反接或电流隔离元件，保障系统安全运行。
　　在工业控制领域，DAN217N3可用于传感器信号调理电路、逻辑电平转换器以及小功率逆变器中的高频整流部分。由于其具备AEC-Q101车规认证，因此也被广泛用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、仪表盘电源模块、LED车灯驱动电路和车身控制模块等。在这些环境中，器件需承受较大的温度波动和振动应力，而DAN217N3的小型化封装和高可靠性正好满足此类需求。
　　此外，该二极管还可用于通信设备中的射频检波电路、电源多路复用设计以及各类消费类电子产品中的防倒灌电源设计。得益于其低漏电流（典型值100nA）和高反向阻断能力，即使在待机或低功耗模式下也能有效阻止电流泄漏，延长电池使用寿命。总体而言，DAN217N3凭借其高频响应、低损耗和高可靠性的特点，已成为众多中小型功率电子系统中不可或缺的基础元器件。