DAN1002D 时间：2025/9/6 16:30:06 阅读：29

DAN1002D是一款由东芝（Toshiba）公司生产的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、低电压应用中的开关和功率控制。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等多种应用。DAN1002D采用SOP（小外形封装）8引脚封装形式，便于在空间受限的电路中使用。

参数

类型：MOSFET（双N沟道增强型）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：4.8A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ（典型值，VGS=4.5V）
　　功率耗散：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

DAN1002D具有多项优异的电气和热性能，首先，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高整体系统效率。在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为12mΩ，这使得该器件非常适合用于高效率DC-DC转换器和同步整流电路。
　　其次，DAN1002D采用了双N沟道MOSFET结构，允许在单个封装内实现两个独立的功率开关，节省了PCB空间并减少了外部元件数量。这种集成特性使其特别适用于便携式设备和空间受限的设计。
　　此外，该MOSFET的封装设计优化了热性能，SOP-8封装具有良好的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定的工作温度。同时，器件支持高达4.8A的连续漏极电流，适用于中等功率级别的应用，如电机驱动器和LED背光驱动电路。
　　在可靠性方面，DAN1002D具有较高的抗静电能力和热稳定性，可在各种工业和消费类电子环境中稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（支持4.5V至8V），兼容常见的逻辑电平驱动器，方便与微控制器或专用驱动IC配合使用。

应用

DAN1002D适用于多种低电压功率管理应用，例如：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器、LED背光控制、手持设备电源管理以及工业自动化控制系统等。由于其双通道集成设计和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效能和紧凑设计的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及便携式医疗设备等。