类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：120A（在 Vgs=10V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（最大，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷（Qg）：48nC（典型值）
　　最大工作温度：150°C
　　封装：SMB（表面贴装）

DAM06SMB75 具备低导通电阻的特点，这使得在高电流条件下能够有效降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力确保该器件能够在苛刻的工作环境下稳定运行。此外，该 MOSFET 的栅极电荷较低，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，适用于高频应用。SMB 封装形式不仅提供了良好的热管理，还使器件能够轻松集成到紧凑型 PCB 设计中。
　　这款 MOSFET 还具备优异的雪崩能量承受能力，增强了器件在过压或瞬态条件下的可靠性。此外，其增强型设计保证了在零栅极电压下器件处于关闭状态，提高了系统的安全性。DAM06SMB75 在设计上优化了热阻性能，确保在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。这些特性使其成为工业电源、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制应用中的理想选择。

DAM06SMB75 常用于高性能电源转换系统，如 DC-DC 降压或升压转换器、同步整流器以及负载开关设计。由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件非常适合用于需要高效率和紧凑设计的工业和汽车应用。此外，它也广泛应用于电机驱动器、电池充电系统、太阳能逆变器和高功率 LED 驱动电路中。在这些应用中，DAM06SMB75 能够提供可靠的开关性能和较低的功率损耗，从而提升整体系统效率和稳定性。

STL06N75F6, STP120N6F6, IRF120N7S