类型：NPN双极性晶体管阵列
　　集电极-发射极电压 (VCEO)：50V
　　集电极-基极电压 (VCBO)：70V
　　发射极-基极电压 (VEBO)：6V
　　集电极电流 (IC)：100mA
　　功率耗散 (PD)：200mW
　　直流电流增益 (hFE)：100 ~ 800
　　过渡频率 (fT)：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-26

DA221M T2L的核心特性之一是其高电流增益（hFE），典型值在100到800之间，这使得它能够在低输入电流下驱动较大的负载电流，特别适用于需要高灵敏度放大的应用场景。这种宽范围的增益特性也意味着用户可以在不同的工作点进行优化选择，以满足特定电路的需求。此外，高hFE有助于减少前级驱动电路的负担，提升整体系统的能效。
　　另一个关键特性是其高频响应能力，过渡频率（fT）可达100MHz，表明该器件在高频信号处理方面具备良好表现。这一特性使其不仅适用于传统的低频开关操作，还能胜任射频信号放大或高速数字信号缓冲等任务。结合其低噪声特性和快速开关速度，DA221M T2L非常适合用作小信号放大器或高速逻辑门驱动器。
　　该器件还具备较低的饱和电压（VCE(sat)），通常在160mV左右（IC = 10mA, IB = 1mA条件下），这意味着在导通状态下功耗更低，有助于提高电源效率并减少散热需求。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间。同时，低饱和电压也有助于提升开关速度，缩短上升和下降时间，进一步增强动态性能。
　　SOT-26封装提供了优良的热传导性能和紧凑的占位面积，适合高密度PCB布局。该封装仅有6个引脚，内部包含两个完全隔离的NPN晶体管，每个晶体管的引脚独立引出，便于灵活布线。此外，SOT-26符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的制造要求。

DA221M T2L广泛应用于各类消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式音频设备，主要用于信号放大、电平转换和逻辑驱动等功能。由于其小尺寸和高性能，特别适合用于空间受限的移动设备主板设计中。
　　在电源管理系统中，该器件可用于LED背光驱动、低压差稳压器（LDO）的使能控制以及电池充放电状态指示电路。其高增益和低功耗特性使其成为理想的开关元件，能够有效控制外围模块的供电通断，实现节能管理。
　　在工业控制领域，DA221M T2L可用于传感器信号调理电路，将微弱的传感器输出信号进行初步放大和整形，以便后续ADC采样或比较器判断。同时，也可作为光电耦合器的输出级驱动，实现电气隔离下的信号传输。
　　此外，在通信接口电路中，该器件可用于UART、I2C等总线信号的电平转换与驱动增强，特别是在不同电压域之间传递逻辑信号时，能够起到缓冲和隔离作用，防止信号失真或总线冲突。其高频特性也支持一定速率的数据传输，适用于中低速通信场景。

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