DA112S1RL 时间：2025/5/20 21:57:01 阅读：2

DA112S1RL 是一款双列直插式封装的小信号晶体管，广泛应用于高频和低噪声放大电路中。该晶体管采用硅材料制造，具有高增益、低噪声的特性，适合于各种无线通信设备、射频模块以及音频放大器等场景。其优异的电气性能和稳定性使其成为许多电子设计中的理想选择。

参数

集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：200mA
　　直流电流增益（hFE）：250~600
　　功率耗散（Ptot）：625mW
　　过渡频率（fT）：300MHz
　　工作温度范围：-55℃~150℃

特性

DA112S1RL 属于高频小信号晶体管，具有以下特点：
　　1. 高增益：其直流电流增益 hFE 在 250 到 600 的范围内，非常适合用于需要高增益放大的应用。
　　2. 低噪声：由于采用了先进的工艺技术，该晶体管在高频段表现出极低的噪声特性，特别适用于射频和通信领域。
　　3. 宽频带响应：过渡频率 fT 达到 300MHz，能够满足高频电路的需求。
　　4. 耐高温性能：工作温度范围为 -55℃ 至 150℃，确保了器件在恶劣环境下的可靠运行。
　　5. 小型化封装：采用双列直插式封装，便于安装和使用。

应用

DA112S1RL 广泛应用于以下领域：
　　1. 射频放大器：因其高频特性和低噪声，常被用于无线通信设备中的射频信号放大。
　　2. 音频放大器：可用于便携式音频设备或耳机放大器等场景，提供清晰的声音输出。
　　3. 开关电路：可以作为开关元件使用，控制小功率负载的通断。
　　4. 检波与混频：利用其高频性能，在调制解调器或收发器中实现信号处理功能。
　　5. 测试与测量设备：在精密仪器中用作信号调理或放大组件。