类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-230mA
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 1.6Ω @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 2.2Ω @ VGS = -2.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 3.0Ω @ VGS = -1.8V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 -0.75V，范围 -0.4V 至 -1.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值 45pF
　　输出电容（Coss）：典型值 25pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 8pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值 2.5nC
　　功耗（Ptot）：300mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

D9LPX具备出色的开关特性和稳定的直流性能，适用于高频开关操作。其低阈值电压允许在低电压控制系统中实现快速响应与高效控制，尤其适合电池供电设备中的节能设计。该器件在VGS低至-1.8V时仍能保持较低的导通电阻，确保在宽输入电压范围内稳定工作。这种低电压驱动能力使得它能够与现代微控制器、FPGA和数字逻辑IC无缝接口，无需额外驱动电路，从而简化系统设计并降低成本。
　　该MOSFET具有优良的热稳定性，能够在高环境温度下持续运行而不发生性能退化。其硅芯片采用成熟的平面工艺制造，保证了一致的器件参数和高良率。封装结构优化了散热路径，使结到环境的热阻（RθJA）控制在合理范围内，提升长期运行可靠性。此外，D9LPX具有较强的抗静电放电（ESD）能力，典型HBM模型可达±2000V，增强了在装配和使用过程中的鲁棒性。
　　器件的电容参数经过优化，输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）均处于较低水平，有助于减少开关延迟和米勒效应，从而提高高频开关效率。这使其特别适合用于DC-DC转换器中的同步整流、LED背光驱动以及各类模拟开关应用。同时，由于其快速的开启和关闭时间，D9LPX可用于精确的信号切换和电源路径管理，避免电压跌落或电流冲击。
　　总体而言，D9LPX是一款高性能、高性价比的小信号P沟道MOSFET，结合了低功耗、小尺寸和高可靠性的特点，是现代电子系统中理想的开关元件选择。其广泛的工作温度范围也支持工业级应用需求，适用于严苛环境下的长期运行。

D9LPX广泛应用于需要小型化和低功耗特性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源开关与负载管理；在这些设备中，它常被用来控制显示屏、传感器或外围模块的供电通断，以实现动态电源管理并延长电池续航时间。
　　此外，D9LPX也常用于逻辑电平转换电路，特别是在I/O电压不匹配的数字系统之间进行信号传递，例如将3.3V逻辑信号转换为1.8V或更低电压域。其低阈值电压特性使其非常适合此类双向电平转换应用。
　　在工业控制和通信设备中，D9LPX可用于继电器驱动、LED指示灯控制、ADC多路复用器的前端开关以及各种低电流负载的通断控制。由于其具备良好的线性区工作能力，也可用于简单的模拟开关或增益控制电路中。
　　其他典型应用场景还包括电池保护电路、USB端口电源开关、热插拔控制器、DC-DC转换器的辅助开关以及各类嵌入式系统的上电复位电路。其SOT-23封装便于手工焊接和回流焊，适用于从原型开发到大规模生产的全阶段应用。

DMG2301U,MCH6114,FDG6301P,ZXM61P02