时间：2025/7/16 19:21:22
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D8767181 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的场效应管（MOSFET），广泛应用于功率放大、电源管理和开关电路等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种需要高效能功率转换的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：0.24Ω
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-3P
D8767181 具备出色的电性能和可靠性，适合多种应用场景。其主要特点包括：
1. 高耐压能力：最大漏源电压可达500V，使其在高压环境下依然能够稳定工作。
2. 低导通电阻：0.24Ω 的 Rds(on) 值有助于降低功耗，提高系统效率。
3. 大电流承载能力：24A的最大连续漏极电流使其适用于大功率应用。
4. 热稳定性优异：封装设计优化了散热性能，确保在高温条件下仍能保持良好运行。
5. 耐冲击能力强：具备较高的雪崩能量承受能力，防止因过载或瞬态现象导致的损坏。
6. 封装小巧：TO-3P 封装便于安装和集成，同时提供了良好的机械强度。
由于其优异的电气特性和可靠性，D8767181 被广泛应用于以下领域：
1. 功率放大器：用于音频放大器和射频功率放大器中，提供高效的信号输出。
2. 电源管理：常用于DC/DC转换器、AC/DC转换器以及稳压电源中，实现高效的能量转换。
3. 工业控制：在工业自动化设备中的电机驱动和继电器控制电路中发挥重要作用。
4. 消费电子产品：如电视电源、LED照明驱动等场合。
5. 新能源设备：在太阳能逆变器、储能系统等新能源设备中作为核心开关元件。
IXFH24N50P, IRFBC40, FDPF5N50
