型号：D8755A-2
　　制造商：Intersil (Renesas)
　　存储类型：SRAM
　　存储容量：4K x 8位（32Kb）
　　访问时间：150ns / 200ns（根据不同版本）
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　低功耗模式：典型待机电流低于100μA
　　接口类型：并行异步接口
　　地址总线宽度：12位（A0-A11）
　　数据总线宽度：8位（I/O0-I/O7）
　　封装形式：28-pin DIP, 28-pin SOIC
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　写保护功能：具备VCC监测与写保护逻辑
　　后备电源支持：VBAT引脚支持外部电池接入
　　时序类型：异步读写操作
　　输出使能（OE）：支持三态输出控制
　　片选信号（CE）：低电平有效
　　写使能（WE）：低电平有效

D8755A-2的核心特性之一是其内置的电源监控与自动写保护机制。当主电源VCC下降到预设阈值以下时，芯片会自动启用写保护功能，禁止所有写入操作，从而避免因电压不稳导致的数据损坏。这种硬件级保护无需软件干预即可实现，极大提升了系统的数据安全性。该功能尤其适用于工业自动化、医疗设备和汽车电子等领域，其中电源波动或突发断电可能造成严重后果。
　　另一个显著特点是其支持后备电源（VBAT）输入。通过连接外部纽扣电池或其他备用电源至VBAT引脚，可以在主电源关闭时维持SRAM中的数据不丢失。这使得D8755A-2非常适合用作“非易失性”存储解决方案，尽管其本质仍是SRAM，但借助外部电池实现了类NVSRAM的行为。此特性常用于保存实时时钟（RTC）寄存器内容、系统配置参数或故障日志等关键信息。
　　D8755A-2采用CMOS工艺，具备低功耗优势。在正常工作模式下，其动态电流消耗较小；而在待机或空闲状态下，静态电流可降至微安级别，有助于延长电池供电系统的续航时间。此外，该芯片具备较强的抗干扰能力，输入端设有施密特触发器以增强噪声容限，确保在电磁环境复杂的工业现场也能稳定运行。
　　引脚布局经过优化设计，兼容标准SRAM接口，易于替换传统异步SRAM器件。同时，其读写时序清晰明确，支持与多种微控制器、DSP和FPGA无缝对接。数据保持电压可低至2V，在电池供电模式下仍能可靠保存信息。总体而言，D8755A-2是一款集高可靠性、低功耗与多功能于一体的专用SRAM器件，适用于对数据完整性要求极高的应用场景。

D8755A-2广泛应用于各类需要高可靠性数据存储的工业与嵌入式系统中。常见用途包括工业控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器），用于存储程序参数、设备状态和运行日志。在电力监控设备如智能电表、继电保护装置中，它被用来保存计量数据和事件记录，确保即使在断电情况下也不会丢失关键信息。
　　在医疗设备领域，例如病人监护仪、便携式诊断设备中，D8755A-2可用于缓存实时采集的生命体征数据，并在主处理器休眠或重启期间保持数据完整。其写保护和电池备份特性有效防止了因电源异常导致的数据 corruption，符合医疗行业对安全性和稳定性的严格要求。
　　通信基础设施设备，如路由器、交换机和基站控制器，也常采用D8755A-2来存储配置文件、MAC地址表或网络拓扑信息。这些数据在设备启动初始化过程中至关重要，必须保证快速读取且不易被误写。
　　此外，D8755A-2还适用于汽车电子模块，例如车载ECU（电子控制单元）、T-Box远程信息处理系统等，用于保存车辆设置、故障码或行程数据。在航空航天与国防系统中，该芯片因其宽温工作能力和高抗干扰性能，也被用于飞行记录器、导航系统等关键子系统中作为临时数据缓冲存储器。总的来说，任何需要在恶劣环境下长期稳定运行并保障数据安全的应用场景，都是D8755A-2的理想选择。

ISL8755A-2
　　HD8755A-2
　　CY8755A-2