D8740220GTH是一款由东芝(Toshiba)公司生产的功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高效率电源转换系统。这款MOSFET设计用于高电流、高电压的应用场合,具备较低的导通电阻和较高的开关性能,适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理系统以及工业自动化设备等应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):连续220A(Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):约0.85mΩ(最大值,Vgs=10V)
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
功耗(Pd):200W
D8740220GTH的核心优势在于其极低的导通电阻,这可以显著降低在高电流工作条件下的功率损耗,提高系统的整体效率。该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构技术,优化了电场分布,从而在保证高性能的同时,具备良好的热稳定性和可靠性。
此外,D8740220GTH的封装设计(TO-247)有助于有效散热,适用于高功率密度应用。器件的栅极驱动要求适中,兼容常见的10V或12V驱动电路,使得其在电源设计中具有良好的可集成性。
这款MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力,能够在突发过压或反向电动势情况下保持稳定运行,适用于电机驱动和感性负载开关等复杂工况。
D8740220GTH广泛应用于高性能电源系统,例如大功率DC-DC转换器、服务器电源、工业电源、不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)、电机驱动器以及汽车电子系统中的功率管理模块。由于其高电流承载能力和低导通损耗,特别适合用于需要高效率与紧凑设计并存的场合。
SiHF220N60E、IRFP2907、TPH3206WSBQ、FDMS7680、IPB095N15N3G1