时间：2025/5/24 20:38:35
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D82C501AD是一种高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效率和低功耗的场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提升系统的整体性能。
其设计重点在于优化热性能和电气特性，以满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：13A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：36nC
总功耗(Ptot)：190W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
D82C501AD具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，可实现高频应用，减少磁性元件的体积和重量。
3. 内置反向恢复二极管，适合同步整流和续流二极管应用。
4. 强大的雪崩能力和ESD保护功能，增强器件的可靠性。
5. 小型化的封装设计，支持高密度电路布局。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
该芯片广泛适用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子中的各类控制模块。
6. LED照明驱动电路。
D82C501RD, IRF540N, FDP55N06L
