制造商：NEC
　　类型：晶体管阵列
　　晶体管配置：NPN双晶体管阵列
　　封装形式：DIP-16 或 SIP-16
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大发射极-集电极电压（Veco）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：500mA
　　最大总功耗（Pd）：1.2W
　　增益带宽积（fT）：典型值250MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

D82720晶体管阵列的核心特性在于其高度集成的双NPN晶体管结构，每个晶体管单元均经过精确匹配和优化，确保在高频和高电流条件下仍能保持一致的电气特性。这种匹配性对于差分放大器、推挽输出级以及电流镜电路尤为重要，能够显著降低失真并提升系统的动态响应能力。该器件采用了先进的双极工艺制造，具备较高的直流电流增益（hFE），典型值可达700以上，使其能够在低基极驱动电流下实现大电流负载的高效控制，非常适合用于驱动继电器、LED、小型电机或其他感性负载。
　　此外，D82720具有较低的饱和压降（Vce(sat)），在满载条件下通常低于0.3V，这意味着在导通状态下功耗较小，有利于提高整体能效并减少散热需求。其输入与输出之间具备良好的电气隔离，防止信号串扰，同时增强了抗噪声干扰的能力。器件内部还集成了适当的保护电阻网络，简化了外部偏置电路的设计，使用户无需额外添加限流电阻即可直接连接逻辑门电路，例如TTL或CMOS输出，从而加快产品开发周期。
　　另一个关键优势是其宽泛的工作温度范围，从-40°C到+125°C，使得D82720能够在恶劣的工业环境或汽车电子系统中稳定运行。该器件的封装设计也考虑了散热效率，引脚布局合理，便于PCB布线和自动装配。虽然D82720不包含内置续流二极管（与某些达林顿阵列如ULN2003不同），但可通过外接二极管来应对感性负载关断时产生的反向电动势，保护晶体管免受击穿损坏。总体而言，D82720凭借其高增益、高可靠性及灵活的应用适应性，在模拟信号处理和功率切换领域展现出持久的生命力。

D82720广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要多路信号放大或功率驱动的场合。一个典型的应用是在工业自动化控制系统中作为继电器或电磁阀的驱动模块，利用其高电流增益特性将微控制器输出的小信号转换为足以激励执行机构的大电流信号。在显示技术领域，该器件可用于LED数码管或点阵显示器的行/列扫描驱动，通过时序控制实现图像的动态刷新。此外，D82720也常见于音频前置放大电路中，特别是在对信噪比和线性度要求较高的模拟前端设计中，其低噪声特性和良好匹配性有助于提升音质表现。
　　在电源管理方面，D82720可被用作线性稳压器中的串联调整管或反馈回路中的误差放大器，配合运算放大器和其他无源元件构成闭环控制系统。它也可用于脉宽调制（PWM）信号的缓冲与放大，增强驱动能力以控制MOSFET或IGBT栅极。在测试测量仪器中，该器件常作为模拟开关或信号选择器的一部分，实现多通道信号路径的切换与调理。由于其具备较强的抗干扰能力和稳定性，D82720还适用于汽车电子系统中的灯光控制、风扇调速以及传感器信号调理等应用场景。
　　值得注意的是，尽管现代集成电路已越来越多地采用CMOS技术实现更高集成度和更低功耗，但在某些对瞬态响应速度和输出电流能力有严格要求的场景下，D82720这类双极型晶体管阵列仍然具有独特优势。例如，在高速数据采集系统中，它可以作为ADC前端的缓冲放大器，有效隔离前级信号源与采样电路之间的相互影响，确保信号完整性。总之，D82720凭借其成熟可靠的技术和广泛的适用性，持续服务于多个关键行业领域。