时间：2025/6/4 18:54:39
阅读：4
D751988GHHR是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关速度方面表现出色，能够有效提升系统效率并降低功耗。
这款功率MOSFET具有较高的耐压能力，适用于多种工业和消费电子领域。其封装形式为TO-247，便于散热处理，并支持大电流负载需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：55nC
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃至+175℃
D751988GHHR具备以下显著特性：
1. 高耐压性能：额定漏源电压高达650V，能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为0.15Ω，可显著降低传导损耗。
3. 快速开关能力：得益于优化的内部结构设计，器件具有较低的栅极电荷（55nC），从而实现快速开关切换。
4. 强大的散热性能：采用TO-247标准封装，确保良好的热传导性能。
5. 广泛的工作温度范围：从-55℃到+175℃均可正常工作，适应各种极端环境条件。
6. 符合RoHS环保标准：材料选择上完全遵循环保要求，适合绿色产品开发。
D751988GHHR广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管，用于高效能量转换。
2. DC-DC转换器：用于降压或升压电路中，提供稳定的输出电压。
3. 电机驱动：适用于各类直流无刷电机控制场景。
4. 工业逆变器：用作功率级器件，实现高效的电力变换。
5. 太阳能逆变器：在光伏发电系统中作为关键功率元件使用。
6. LED驱动器：用于高亮度LED照明系统的驱动电路中。
D751988GHHQ, IRFZ44N, FDP5500
