时间：2025/4/30 17:39:12
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D6PF1G960M3B9-Z 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于高效率电源转换和电机驱动等场景。该器件采用了先进的制程技术，具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力等特点，广泛适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品领域。
此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式为 TO-247，能够提供卓越的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：960V
最大连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：0.3Ω
栅极电荷：85nC
输入电容：1600pF
总功耗：150W
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达 960V，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（典型值为 0.3Ω），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性，栅极电荷仅为 85nC，确保在高频条件下高效运行。
4. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 175℃），能够在极端环境下稳定运行。
5. 封装采用 TO-247，具备良好的散热性能，可满足大功率应用需求。
6. 出色的电气稳定性，适用于各种严苛的工业和汽车环境。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. 逆变器和电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 汽车电子系统的电源管理与保护。
5. 高压负载切换和电池管理系统（BMS）。
6. 大功率 LED 驱动和电信设备中的功率调节电路。
D6PF1G960M3B7-Y, IRFP260N, STP10NK90Z
