D6283 时间：2025/8/2 0:42:11 阅读：27

D6283是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关及负载管理等场景。D6283采用TO-220或TO-252（DPAK）等封装形式，具备良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：90A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

D6283的主要特性包括低导通电阻，这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，提高系统效率。其高电流承载能力使其能够应对大功率负载的切换需求。该MOSFET具备快速开关特性，适合高频开关应用，有助于减小外围电路的尺寸并提升响应速度。此外，D6283的封装设计具有良好的散热性能，能够在高功率工作条件下维持稳定运行。该器件还具备较高的热稳定性和抗过载能力，适用于各种工业和汽车电子应用。
　　在电气性能方面，D6283的阈值电压（Vgs(th)）通常在1V至3V之间，确保了与标准逻辑电平的兼容性。同时，其寄生二极管具有较强的反向恢复能力，可在电感性负载切换时提供良好的保护。此外，该MOSFET的封装形式（如TO-220或TO-252）便于安装和散热管理，适用于多种电路设计场景。