时间：2025/7/23 2:40:02
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D5NM60是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用先进的平面条形工艺制造，具有较低的导通电阻和快速开关特性，常用于电源转换器、DC-DC变换器、马达控制、电池管理系统以及各种高功率电子设备中。D5NM60的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：5A（连续）
漏源导通电阻（RDS(on)）：≤2.0Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
D5NM60具有多项优异的电气和热性能特性，首先，其较高的漏源击穿电压（600V）使其能够适用于高压开关电路，同时具备良好的抗过压能力。其次，较低的导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高电源转换效率，这对于高频率开关应用尤为重要。
该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装（SMT）工艺，适合自动化生产。其较小的封装尺寸也有助于节省PCB空间，提高整体系统集成度。
此外，D5NM60具备较快的开关速度，能够有效降低开关损耗，提高系统的动态响应能力。其栅极驱动电压范围适中（通常为10V~15V），兼容常见的MOSFET驱动器，便于设计和使用。
在可靠性方面，该器件通过了严格的工业标准测试，具备良好的稳定性和耐用性，适用于各种工业、汽车和消费类电子应用。
D5NM60广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：
1. **电源转换器**：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）、离线式电源模块等，用于高效率的电压转换和稳压。
2. **DC-DC变换器**：在电动汽车、太阳能逆变器、LED驱动电源等场合中，用于升降压转换和功率调节。
3. **马达控制**：在电动工具、家电马达驱动、工业伺服系统中作为功率开关元件，实现精确的速度和扭矩控制。
4. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。
5. **其他高功率应用**：例如电焊设备、感应加热器、UPS不间断电源系统等。
TK1A50D、2SK2545、D660R60、IRFBC20、STP5NK60Z
