D5NK50Z 时间：2025/7/23 11:29:54 阅读：6

D5NK50Z 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电压和高电流的应用场合。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适合用于电源转换、电机驱动和开关电源等电路中。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流：5A
　　最大漏源电压：500V
　　导通电阻：1.2Ω
　　栅极电压范围：±30V
　　耗散功率：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

D5NK50Z 功率MOSFET具有多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）为1.2Ω，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的最大漏极电流为5A，漏源电压高达500V，适用于高电压和中等功率的应用需求。
　　其次，D5NK50Z具备良好的热稳定性和高耗散功率（50W），能够在较高的工作温度下保持稳定运行，增强了器件的可靠性和耐用性。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热，还能在多种电路环境中提供优异的性能表现。
　　此外，D5NK50Z的栅极电压范围为±30V，使其能够兼容多种控制电路，提高了设计的灵活性。这款MOSFET在开关速度、导通损耗和热管理方面实现了良好的平衡，是多种功率应用的理想选择。

应用

D5NK50Z 常用于开关电源（SMPS）设计中，作为主开关器件，能够有效提高电源转换效率并减小系统体积。它也适用于DC-DC转换器和AC-DC适配器，提供稳定可靠的功率控制能力。
　　在电机驱动和逆变器应用中，D5NK50Z 能够承受较高的电压和电流应力，确保系统在复杂负载条件下稳定运行。此外，该器件还可用于LED驱动电源、电池充电器和工业自动化控制系统中，提供高效的功率开关解决方案。
　　由于其高耐压特性和良好的热管理能力，D5NK50Z 也适用于需要高可靠性的家电和工业设备，如电磁炉、电焊机和不间断电源（UPS）系统。