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D5NK40Z 发布时间 时间:2025/7/22 17:02:09 查看 阅读:3

D5NK40Z是一款常见的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于功率开关和电源管理应用。该器件采用先进的工艺制造,具有优异的导通性能和快速的开关特性,适用于各种高效率电源转换系统。D5NK40Z通常采用TO-252(DPAK)封装,便于在电路板上安装和散热。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):5A
  漏源极击穿电压(VDS):400V
  栅源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约1.2Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

D5NK40Z MOSFET具有多项优异的电气和热性能,使其在多种电源应用中表现出色。首先,其高耐压特性(400V VDS)使其适用于高电压电源转换系统,如开关电源(SMPS)、适配器和LED驱动器。其次,该器件的导通电阻较低,有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,D5NK40Z具备良好的热稳定性和较高的工作温度范围,能够在严苛的环境条件下稳定工作。其快速的开关速度也使得该器件适用于高频开关应用,从而减小电源系统的体积和重量。最后,TO-252封装提供了良好的散热性能,便于在PCB上布局和安装。

应用

D5NK40Z广泛应用于各种功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、AC/DC适配器、LED照明驱动器、DC/DC转换器、电机控制电路以及家电和工业设备中的电源管理系统。此外,该器件也常用于电池充电器、UPS系统和各种高电压控制电路中,表现出良好的可靠性和稳定性。

替代型号

D5NK40Z的替代型号包括但不限于KSD5NK40Z、2SK2545、2SK1318和2SK2141。在选择替代器件时,应确保其电气特性和封装形式与D5NK40Z相匹配,以确保电路的正常工作。

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