D4R60FD100 时间：2025/9/3 5:47:27 阅读：4

D4R60FD100是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的技术，以提供卓越的电气性能和热管理能力。作为一款N沟道MOSFET，D4R60FD100在电源供应、电机控制、电池管理系统和工业自动化等领域具有广泛的应用潜力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：60A（在Tc=25°C）
　　漏极功耗（PD）：160W
　　RDS（on）：约7.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：85nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220AB或D2PAK

特性

D4R60FD100 MOSFET具有多个显著的特性，使其在高性能功率电子设备中表现出色。首先，该器件的低RDS（on）值确保了在导通状态下的最小电压降和功率损耗，从而提高了整体系统效率。这种低导通电阻特性对于设计高效率DC-DC转换器、同步整流器和负载开关至关重要。
　　其次，D4R60FD100采用了先进的封装技术，提供了良好的热管理能力。其TO-220AB或D2PAK封装形式确保了在高电流工作条件下能够有效散热，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。此外，该器件的高耐压特性（100V VDS）使其能够承受较高的电压应力，适用于各种高电压应用场景。
　　此外，D4R60FD100的栅极电荷（Qg）较低，这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，并降低驱动电路的复杂性。该器件的高工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的各种应用。

应用

D4R60FD100 MOSFET广泛应用于多种电力电子设备中。首先，它适用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，其低导通电阻和高耐压特性有助于提高转换效率并减少发热。其次，在工业自动化和电机控制系统中，该器件可用于驱动电机、继电器和电磁阀等高功率负载。
　　此外，D4R60FD100还可用于电池管理系统（BMS）和储能系统，用于实现高效的充放电控制和功率管理。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等应用。同时，它也适用于家用电器、UPS（不间断电源）和工业电源等需要高可靠性和高效率的场合。