时间：2025/8/25 4:06:20
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D45VH4是一款常见的电子元器件芯片，广泛应用于电源管理和电压调节领域。作为一款高压MOSFET器件，D45VH4具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性等特点，适用于需要较高电压和电流控制的电路设计。其主要作用是作为开关器件，控制电源的通断，确保电路运行的稳定性和效率。
类型：高压MOSFET
最大漏极电流（ID）：45A
漏源击穿电压（VDS）：100V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.018Ω
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
D45VH4具有优异的电气性能和热管理能力，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。此外，该芯片具备良好的短路和过热保护能力，提升了器件的可靠性和耐用性。由于其高栅极驱动电压容忍度，D45VH4在各种复杂的电气环境中都能保持稳定工作。
该器件采用了先进的功率MOSFET制造工艺，确保了其在高频率开关应用中的稳定性和响应速度。其TO-247封装形式不仅有助于散热，还便于安装在散热片上，进一步提升散热效率。D45VH4还具有快速恢复二极管特性，有助于降低反向恢复损耗，提升整体系统的能效。
此外，D45VH4在设计上优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少电路中的高频噪声，提升系统的电磁兼容性（EMC）。这使得该器件适用于对EMC要求较高的工业设备和汽车电子系统。
D45VH4广泛应用于各种电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、逆变器以及工业自动化设备中。此外，该器件也可用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及高功率LED照明驱动电路。
IRF1405, FDP45VH4, SiR872DP, STP45NF10, FQP45N10
