时间：2025/8/25 1:35:14
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D44TE4 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性，适合用于高频率开关应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为2.9mΩ（在VGS=10V时）
封装形式：TO-263（DPAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
D44TE4 MOSFET采用了东芝的高密度单元设计和沟槽技术，使其在低电压应用中具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间工作，使其兼容多种驱动电路，包括低电压微控制器和专用驱动IC。
此外，D44TE4具有良好的热管理性能，能够在高电流负载下保持稳定运行，适用于紧凑型设计和高温环境。
该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在电感负载开关过程中的可靠性，减少了因电压尖峰引起的失效风险。
其TO-263封装形式便于安装在印刷电路板（PCB）上，并支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和焊接可靠性。
D44TE4常用于各类功率转换系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业电机驱动和电源管理模块。
由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于高性能电源系统和便携式设备的电源管理模块中。
在汽车电子应用中，D44TE4也常用于车载充电器、启停系统和电动助力转向系统（EPS）等关键功率控制电路中。
SiR142DP-T1-GE3, IRF1404, TPSD410C20SQ, D44T4
