时间：2025/8/25 6:16:16
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D3N08L 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高性能功率转换的电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和大电流处理能力，适用于如电源转换器、电机驱动、电池管理系统和工业自动化设备等场景。D3N08L采用TO-220封装，便于散热，适合高功率密度设计。其主要特点是具备良好的热稳定性和电气性能，能够在较高温度环境下稳定运行。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃至+175℃
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（在Vgs=10V）
封装形式：TO-220
栅极电荷（Qg）：180nC（典型值）
D3N08L MOSFET的最大特点是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体效率。该器件在80V的漏源电压下能够支持高达120A的连续漏极电流，适用于高电流应用。此外，其高栅极电荷（Qg）虽然可能增加驱动电路的复杂性，但同时也表明其具有较高的开关稳定性。D3N08L的TO-220封装形式具备良好的散热能力，适合需要高效热管理的设计。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
从电气特性来看，D3N08L在25℃环境温度下的最大导通电阻为5.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高能效。其栅源电压范围为±20V，允许使用较高的驱动电压以进一步降低导通电阻。由于其N沟道结构，D3N08L在导通时表现出较低的电压降，从而减少了热量产生并提高了整体系统的可靠性。此外，该器件的高功率耗散能力（150W）使其能够适应较高的工作温度，适用于紧凑型高功率设计。
D3N08L MOSFET被广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于：直流-直流转换器（DC-DC Converters），用于提供高效的电压转换；电动车辆的电池管理系统（BMS），用于控制高电流充放电过程；工业电机驱动器，用于实现高效率的电机控制；不间断电源（UPS），用于提供稳定的电力输出；以及各类高功率LED照明系统，用于实现精确的电流控制。此外，D3N08L也可用于高频开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路，以提高系统能效和稳定性。
TPC8107,TN080N08K,TN080N08S
