D38NH02 时间：2025/7/22 21:56:20 阅读：4

D38NH02 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率处理能力，适用于高效率电源转换器、电机控制、负载开关以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理部分。D38NH02 采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和紧凑的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：190A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

D38NH02 功率MOSFET具备多项优异特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。在高电流应用中，这种特性尤为重要，因为它可以减少热量的产生并提高能量传输效率。
　　其次，D38NH02 能够承受高达190A的连续漏极电流，适合用于高功率密度的设计。该器件的高电流处理能力使其成为电机驱动、DC-DC转换器和电池管理系统等应用的理想选择。
　　此外，D38NH02 采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。该封装形式也便于安装在印刷电路板（PCB）上，并支持表面贴装技术（SMT），适合大规模自动化生产。
　　器件的栅极驱动电压范围较宽，最高可达±20V，允许设计者使用不同的驱动电路方案，提高了设计的灵活性。同时，D38NH02 在高温环境下依然能保持稳定性能，工作温度范围从-55°C到+150°C，适用于各种严苛的工业环境。
　　最后，该MOSFET具有快速开关特性，降低了开关损耗，有助于提高电源系统的整体响应速度和效率。这种快速响应能力在高频开关电源和PWM控制应用中尤为关键。

应用

D38NH02 主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中。其高电流处理能力和低导通电阻使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统（BMS）等场景。
　　在工业自动化领域，D38NH02 可用于伺服电机驱动器和可编程逻辑控制器（PLC）中的功率开关元件。在消费类电子产品中，它常用于大功率电源适配器、充电器以及高性能笔记本电脑电源管理系统。
　　此外，D38NH02 还广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）和车载信息娱乐系统（IVI）中的电源管理模块。其高可靠性和良好的热性能使其能够在汽车严苛的电气环境中稳定运行。
　　由于其快速开关特性和高效率，D38NH02 也常被用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源（UPS）等新能源相关设备中。在这些应用中，器件的效率和可靠性对于系统的整体性能至关重要。