类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流阻断电压（VR）：20V
　　平均整流电流（Io）：300mA（每芯片）
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　正向电压（VF）：典型值420mV（在150mA, 25°C条件下）
　　最大正向电压（VF(max)）：600mV（在150mA, 25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大200μA（在20V, 25°C）
　　反向恢复时间（trr）：≤10ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-26（SOT-26A）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

D2W215ED的核心优势在于其低正向导通压降和快速开关响应能力。由于采用肖特基势垒技术，该器件避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，从而实现了极短的反向恢复时间（trr ≤ 10ns），显著降低了开关损耗，特别适合用于高频开关电源电路中。这种特性使得D2W215ED在DC-DC转换器、同步整流辅助电路和电池供电设备中能够提升整体能效并减少发热。
　　其次，该器件采用双共阴极结构，两个独立的肖特基二极管共享一个阴极引脚，这种设计不仅节省了PCB布线空间，还简化了在需要共用参考点的应用中的连接方式，例如在双通道输出的开关电源或半波整流桥中使用时非常方便。同时，每个二极管可承受最高300mA的平均整流电流，在轻负载或中等功率场景下表现可靠。
　　热性能方面，SOT-26封装具有较低的热阻特性，有助于将内部产生的热量有效传导至PCB，提升散热效率。即使在环境温度较高的工业环境中，也能保持稳定的电气性能。此外，该器件具备良好的抗浪涌能力，可在短时间内承受高达500mA的峰值脉冲电流，增强了系统应对瞬态过载的能力。
　　D2W215ED还具备出色的反向漏电流控制能力，在常温下最大仅为200μA，即便在高温环境下漏电增长也相对可控，有利于维持低功耗模式下的系统稳定性。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ +125°C）使其适用于恶劣环境下的工业、汽车电子及户外设备应用。整体而言，D2W215ED结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代高效能电子系统中不可或缺的分立元件之一。

D2W215ED广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块，作为DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管，帮助提高转换效率并延长电池续航时间。
　　在AC-DC适配器和USB充电器中，该器件可用于次级侧整流电路，尤其是在多路输出设计中，双共阴极结构便于实现多个输出通道的独立整流。此外，在LED驱动电源中，D2W215ED可用作防倒灌二极管，防止电流回流导致LED闪烁或损坏。
　　工业控制系统中，该器件常用于传感器信号调理电路、继电器飞轮二极管以及I/O端口的瞬态电压抑制保护。在通信设备如路由器、交换机的板级电源中，D2W215ED凭借其高频响应特性，被用于隔离不同电压域之间的电源路径，确保信号完整性。
　　汽车电子领域也是其重要应用场景之一，例如车载信息娱乐系统、仪表盘电源模块和车身控制单元中，D2W215ED可用于电源轨间的OR-ing二极管或反接保护电路。由于其符合AEC-Q101应力测试标准的部分要求（视具体批次而定），具备一定的车规级可靠性基础。
　　此外，在嵌入式微控制器系统中，D2W215ED可用于VDD备份切换电路，实现主电源与备用电池之间的无缝切换，保障关键数据不丢失。总之，凡是需要小型化、高效率、快速响应的低压整流场合，D2W215ED都是一个极具竞争力的选择。

BAS40-04WT1G
　　RB751S-40
　　MBRS340T1G
　　PMDS32EN