类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(Vds)：650V
　　连续漏极电流(Id)：2A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：8A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：2.5Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：3V ~ 5V
　　输入电容(Ciss)：450pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：110pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：470ns
　　最大功耗(Ptot)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP

D2N65具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高耐压与低导通电阻之间的良好折衷，使得它在中等功率应用中表现出色。该MOSFET采用了ST的专有高压工艺技术，确保了器件在650V额定电压下仍能维持较低的Rds(on)，从而有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统整体能效。其2.5Ω的典型导通电阻在同级别产品中属于较高水平，因此更适合用于对成本敏感且负载电流不大的应用场景。
　　该器件具有较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的重复性电压过冲而不发生永久性损坏，这对于开关电源中的瞬态保护尤为重要。同时，D2N65的栅极电荷（Qg）相对较低，典型值约为30nC，这意味着驱动电路所需提供的驱动功率较小，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的成本。此外，输入电容和输出电容的匹配经过优化，有助于减少高频开关过程中的振荡现象，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　体二极管方面，D2N65集成了一个快速恢复的体二极管，反向恢复时间trr约为470ns，虽不及专用快恢复二极管，但在大多数非连续导通模式（DCM）反激变换器中已足够使用。这可以避免外接续流二极管，节省PCB空间和物料成本。该MOSFET还具备良好的热阻特性，结到外壳的热阻（Rth(j-c)）约为2.5°C/W，结合外部散热器可有效控制工作温度，延长使用寿命。此外，器件通过了严格的工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和温度循环等试验，保证了长期运行的稳定性。封装采用TO-220FP形式，引脚布局合理，易于自动化装配，并支持通孔焊接工艺，适合大批量生产。整体而言，D2N65是一款性价比高、适用范围广的中压N沟道MOSFET，适用于多种通用开关电源拓扑结构。

D2N65主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，尤其适合离线式反激变换器（Flyback Converter），常见于适配器、充电器、电视电源板和小型LED照明驱动电源等设备。由于其650V的高击穿电压，可以直接连接整流后的市电母线电压（约380VDC），无需额外的降压预稳压电路，简化了前端设计。在这些应用中，D2N65作为主开关管工作在高频PWM模式下，承担能量传递和电压调节的核心功能。
　　此外，该器件也广泛用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在工业控制电源模块中作为功率开关元件。在电机驱动领域，D2N65可用于小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的低端开关，虽然其电流承载能力有限，但对于轻载或间歇工作的场合仍然适用。另外，在UPS不间断电源、逆变器和太阳能微型逆变器等绿色能源设备中，D2N65也可作为辅助电源或控制回路的开关器件使用。
　　在照明应用方面，D2N65适用于高压LED恒流驱动电路，尤其是在隔离型反激拓扑中实现恒流输出。其快速开关特性和较低的驱动需求使其能够与常见的电流模式控制器（如UC3842、L6565等）良好配合，构建稳定可靠的驱动方案。此外，该器件还可用于各种家用电器中的电源部分，如微波炉、洗衣机、空气净化器等，承担待机电源或主电源开关的角色。由于其具备一定的抗浪涌能力，能够在电网波动较大的环境中保持正常工作，因此在发展中国家或电网不稳定地区的电子产品中尤为受欢迎。总之，D2N65凭借其高耐压、适度的电流能力和合理的成本，成为众多中小功率电源设计中的优选器件之一。