时间：2025/12/27 0:36:50
阅读：13
D2MC-5EL是一款由Diodes Incorporated生产的通用小信号双N沟道MOSFET阵列，采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，专为高密度、高性能的电源管理和信号开关应用而设计。该器件将两个独立的N沟道MOSFET集成在一个小型SOT-363（SC-88）封装中，极大地节省了PCB空间，适用于对尺寸敏感的便携式电子设备。D2MC-5EL具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性，能够在宽温度范围内稳定工作，适合用于电池供电设备、移动通信设备、消费类电子产品以及各种需要高效能开关控制的场合。其额定电压和电流参数使其在低功率开关、电平转换、负载开关、LED驱动和逻辑门驱动等应用中表现出色。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可靠性的严格要求。D2MC-5EL广泛应用于智能手机、平板电脑、无线耳机、可穿戴设备、物联网终端以及其他紧凑型电子系统中。
型号：D2MC-5EL
制造商：Diodes Incorporated
封装类型：SOT-363 (SC-88)
通道数：双通道
沟道类型：N沟道
漏源电压(VDS)：50V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：100mA（单通道）
脉冲漏极电流(ID_pulse)：400mA
导通电阻(RDS(on))：典型值 5.5Ω @ VGS = 10V；最大值 7Ω @ VGS = 10V
阈值电压(VGS(th))：典型值 1.2V，范围 0.8V ~ 2.0V
输入电容(Ciss)：典型值 25pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
反向传输电容(Crss)：典型值 5pF
输出电容(Coss)：典型值 20pF
栅极电荷(Qg)：典型值 2nC @ VDS = 10V
功耗(PD)：300mW
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
D2MC-5EL采用高性能沟槽型MOSFET结构，具备优异的导通特性和开关响应能力。其低导通电阻（RDS(on)最大仅7Ω）确保在低电压、低电流应用场景下实现最小的功率损耗，从而提升系统效率并减少发热。该器件的阈值电压较低，典型值仅为1.2V，可在3.3V甚至更低的逻辑电平下可靠开启，非常适合与现代微控制器、FPGA或数字逻辑IC直接接口，无需额外的电平转换电路。
由于采用SOT-363六引脚小型封装，D2MC-5EL在保持高性能的同时实现了极高的封装密度，特别适用于空间受限的便携式设备。该封装还具有良好的散热性能和机械稳定性，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺。器件内部两个MOSFET完全独立，可分别用于不同的电路功能，如独立控制两条信号路径、实现双向模拟开关或构建简单的H桥驱动拓扑。
D2MC-5EL具有出色的栅极氧化层可靠性，能够承受±20V的栅源电压，提供一定的过压保护能力。其输入、输出和反向传输电容均经过优化，有助于减少高频开关时的噪声耦合和振铃现象，提高系统的电磁兼容性（EMC）。此外，该器件在-55°C至+150°C的宽温度范围内保持稳定的电气性能，适用于工业级和消费级各类严苛环境下的长期运行。所有材料符合RoHS和无卤素要求，支持绿色制造流程。
D2MC-5EL广泛应用于各类低功率模拟和数字开关电路中。典型用途包括便携式设备中的电源管理单元，例如用作电池供电路径的选择开关或负载开关，以控制外设模块的供电状态，延长待机时间。在通信设备中，它可用于RF信号路径切换、天线调谐或音频通道选择，利用其低导通电阻和快速响应特性保证信号完整性。
在消费类电子产品如智能手机、智能手表、TWS耳机中，D2MC-5EL常被用于背光LED驱动、传感器使能控制、I2C总线隔离或多路复用器辅助开关。其低阈值电压特性使其能够直接由GPIO引脚驱动，简化了控制逻辑设计。此外，在工业自动化和IoT节点设备中，该器件可用于数字信号缓冲、电平移位、继电器驱动接口或传感器信号调理电路中的开关元件。
由于其双独立通道设计，D2MC-5EL还可用于构建简单的推挽输出结构或用于电机方向控制的小型H桥电路（适用于微型直流电机或步进电机）。在测试测量仪器中，也可作为精密模拟开关使用，配合运算放大器实现可编程增益调节或通道选择功能。总之，任何需要小型化、低功耗、高可靠性的MOSFET开关方案，D2MC-5EL都是一个理想选择。
2N7002K
