时间：2025/12/29 13:33:50
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D2F60 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET晶体管，主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用先进的工艺制造，具备高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及工业自动化系统等广泛领域。D2F60通常采用TO-220或类似的封装形式，便于在电路中进行安装和散热处理。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约0.028Ω（典型值）
最大功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
D2F60具有优异的电气性能和热管理能力，确保在高负载条件下的稳定运行。其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的短路耐受能力，能够在异常工况下提供一定的保护作用。D2F60的栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其高耐压特性使其能够在较恶劣的电气环境中工作，具备良好的可靠性和寿命。D2F60还内置了防静电保护（ESD）功能，增强了器件在装配和使用过程中的抗干扰能力。
D2F60广泛应用于各种功率电子设备中，如DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理系统、工业自动化设备以及电动汽车充电模块等。由于其高耐压和大电流能力，该器件也常用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及电池管理系统（BMS）等对功率要求较高的场合。此外，D2F60还可用于高功率LED照明、家用电器中的电机控制电路以及智能电网相关设备。
TK200E08K,TTPF80N20,MTP200N20,TPC8107
