时间:2025/10/30 9:14:25
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D27C256是一种由Intel公司推出的高性能CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器(UV-EPROM),其存储容量为256K位,组织方式为32K × 8位。该芯片广泛应用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及早期的计算机系统中。D27C256采用标准的双列直插封装(DIP)或PLCC(塑料引线芯片载体)封装形式,具有与标准微处理器总线兼容的接口,支持快速读取操作,典型访问时间在150ns至250ns之间,适用于中高速系统环境。该器件通过高电压编程写入数据,并可通过移除芯片顶部的不透明标签后暴露于高强度紫外线光源下进行批量擦除,从而实现多次重复使用。D27C256工作电压通常为+5V,具备低功耗待机模式,适合对功耗有一定要求的应用场景。此外,该芯片内置数据保持机制,能够在断电情况下长期保存程序代码,典型数据保持时间超过10年。由于其可靠性和稳定性,D27C256在20世纪80年代末至90年代中期被广泛用于各种固件存储应用,是当时主流的EPROM解决方案之一。随着技术发展,后续逐渐被EEPROM和Flash存储器所取代,但在一些老旧设备维护和工业升级项目中仍具重要价值。
制造商:Intel
类型:UV-EPROM
存储容量:256 Kbit
组织结构:32K × 8
工作电压:+5V ± 10%
访问时间:150ns / 200ns / 250ns(不同速度等级)
编程电压:+12.5V 或 +21V(取决于具体型号)
封装形式:28引脚 DIP、28引脚 PLCC
工作温度范围:0°C 至 +70°C(商业级)
擦除方式:紫外线照射(约15–20分钟,波长253.7nm)
数据保持时间:>10年
编程电流:典型100mA
待机电流:<100μA
D27C256具备多项关键特性,使其在当时的非易失性存储器市场中占据重要地位。首先,其采用高性能CMOS工艺制造,显著降低了静态功耗,相较于早期的NMOS EPROM器件,不仅提升了能效,还减少了热损耗,有助于提高系统整体稳定性。其次,该芯片支持标准微处理器接口时序,兼容绝大多数8位和16位CPU总线架构,如Intel 8086、8051系列以及Motorola 68000等,极大简化了系统设计与集成过程。在编程方面,D27C256支持字节级编程模式,允许逐个地址写入数据,编程电压通常为+12.5V或+21V(依具体子型号而定),并通过内部状态检测机制确保编程可靠性。此外,该器件配备了片内地址锁存和输出缓冲驱动能力,能够直接驱动TTL和CMOS逻辑电平,无需额外缓冲电路,进一步优化了PCB布局和系统成本。
D27C256还具备良好的抗干扰能力和环境适应性,在宽温度范围内保持稳定读取性能,适用于工业现场等复杂电磁环境。其封装顶部设有石英窗口,便于紫外线擦除,同时用户可通过贴上不透光标签防止误擦除。芯片内部集成错误检测与校验功能,在正常读取过程中可有效避免数据错乱。更重要的是,该器件支持至少100次以上的擦写周期,结合长达10年以上的数据保持能力,非常适合用于开发调试阶段频繁修改程序代码的应用场景。尽管现代系统已普遍采用电可擦除存储器,但D27C256因其高可靠性、明确的时序规范和广泛的文档支持,仍在教学实验、复古计算和特定工业备件领域持续发挥作用。
D27C256主要应用于需要可重复编程且非易失性程序存储的电子系统中。在20世纪80年代至90年代,它被广泛用于各类微控制器系统的固件存储,例如工业自动化控制器、数控机床、PLC(可编程逻辑控制器)以及测量仪器中的引导程序存放。此外,在通信设备如调制解调器、交换机和路由器的早期版本中,D27C256常用于存储启动代码和配置信息,确保设备上电后能正确初始化硬件并加载操作系统。在消费类电子产品中,该芯片也被用于游戏机主板、打印机控制板和家用电器的控制模块中,存储核心控制逻辑。教育和科研领域也大量使用D27C256作为教学示范器件,帮助学生理解EPROM的工作原理、存储器映射及CPU与存储器之间的交互机制。由于其具备紫外线擦除功能,非常适合实验室环境下的反复编程与测试流程。此外,在军事和航空航天领域的部分老旧系统中,D27C256或其兼容型号仍作为关键部件存在,用于维持 legacy system 的运行与维护。即使在当前,当需要修复或复制老式设备时,D27C256依然是重要的替代元件选择。随着电子设备的更新换代,虽然新设计已不再采用此类EPROM,但在系统升级、逆向工程和历史设备复原项目中,D27C256仍然具有不可替代的技术参考价值和实用意义。
27C256
MBM27C256
AMD27C256
TC57256ADJ
HY27C256