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D2732A-25 发布时间 时间:2025/12/26 17:55:16 查看 阅读:11

D2732A-25是一款由Intel公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于早期的高性能半导体存储器产品之一。该芯片采用双极型晶体管技术(TTL或ECL工艺)制造,具备快速访问能力和稳定的读写性能,主要面向需要高可靠性和低延迟的应用场景。D2732A是2K x 8位(即2048字节)容量的SRAM器件,-25后缀表示其最大访问时间为25纳秒,适用于对速度要求较高的工业控制、通信设备和军事电子系统。该芯片通常采用24引脚DIP(双列直插式封装)或类似封装形式,工作电压为+5V,兼容TTL电平接口,便于与当时的微处理器和逻辑电路集成。由于其非易失性较低(断电后数据丢失),主要用于临时数据缓存和高速缓冲存储应用。尽管该型号已逐渐被更先进的CMOS SRAM所取代,但在一些老旧设备维护和特定工业环境中仍有使用需求。

参数

型号:D2732A-25
  容量:2K x 8位(16Kbit)
  组织结构:2048字节
  访问时间:25ns
  工作电压:5V ±5%
  输入电平:TTL兼容
  输出驱动能力:标准TTL负载
  封装形式:24引脚DIP
  工作温度范围:商业级(0°C 至 +70°C)或工业级(-40°C 至 +85°C)
  读写操作:异步SRAM,支持读/写模式
  功耗:典型值约200mW(取决于工作频率)
  片选信号:双片选(CE1、CE2),增强系统寻址灵活性
  输出使能:OE控制读出使能
  写使能:WE控制写入操作

特性

D2732A-25的核心特性在于其高速异步存取能力,具备25ns的极短访问时间,这在当时属于领先的性能指标,能够满足早期高性能计算和实时控制系统的需求。其内部存储阵列为2K×8结构,共提供2048个可独立寻址的8位数据单元,通过11位地址线(A0-A10)进行选择,数据通过8位双向数据总线(I/O0-I/O7)传输。该芯片采用双极型工艺制造,虽然相比后来的CMOS工艺功耗较高,但其开关速度快、抗干扰能力强,在高温和电磁环境复杂的工业现场表现稳定。
  另一个显著特点是其灵活的控制逻辑设计,包含两个片选信号(CE1和CE2),允许系统设计师通过组合逻辑实现更复杂的存储器映射和译码机制,从而方便地将多个SRAM芯片构建成更大容量的存储模块。此外,独立的写使能(WE)和输出使能(OE)信号使得读写操作可以精确控制,避免总线冲突,并支持与其他外围设备共享数据总线。
  该器件还具备全静态操作特性,即无需刷新即可保持数据,只要电源持续供电且未发生写操作,内容不会丢失。这种特性使其非常适合用于缓存关键运行数据、程序暂存区或中断向量表存储等场合。虽然其功耗高于现代低功耗SRAM,但在当时的嵌入式系统中仍处于可接受范围。
  D2732A-25具有良好的温度适应性和长期可靠性,部分版本支持工业级甚至军用级温度范围,可在恶劣环境下稳定工作。同时,其引脚布局符合行业标准,易于替换和升级。尽管目前已停产,但在维修旧式工控机、雷达系统、电话交换机等设备时仍具实用价值。

应用

D2732A-25广泛应用于20世纪80年代至90年代初的各种电子系统中,尤其在需要高速、低延迟存储的领域表现突出。它常被用作微处理器系统的高速缓存或主存储器,配合如8085、8086、Z80等经典CPU构建小型计算机或嵌入式控制器。在通信设备中,该芯片用于帧缓冲、协议处理中的临时数据存储以及调制解调器的数据暂存区,确保信息传输的连续性和准确性。
  在工业自动化领域,D2732A-25被集成于PLC(可编程逻辑控制器)、数控机床(CNC)和数据采集系统中,用于保存实时采集的传感器数据、运行状态标志和中间计算结果。由于其快速响应能力,特别适合用于中断服务程序所需的堆栈空间或上下文保存区域。
  此外,该芯片也常见于测试测量仪器,如数字示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪中,作为采样数据的临时缓冲区,保证高速信号捕获过程中不丢失关键信息。在军事和航空航天电子系统中,某些高可靠性版本曾用于雷达信号处理单元、飞行控制计算机和导弹导航系统,发挥其在极端环境下的稳定性优势。
  尽管当前已被更小体积、更低功耗的CMOS SRAM所替代,D2732A-25仍在老旧设备维护、历史电子产品修复及教学实验中发挥作用,帮助工程师理解早期存储器架构和系统设计原理。

替代型号

IS61C256AH-25

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