D2493R 时间：2025/8/18 6:54:15 阅读：5

D2493R是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件设计用于高效率、高可靠性的开关应用，具备低导通电阻和高耐压能力，适用于如DC-DC转换器、电源适配器、电池管理系统以及电机驱动电路等多种场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大40mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

D2493R具有多项优良特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率，同时减少发热，提高整体稳定性。其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏极-源极击穿电压为60V，能够应对瞬态电压波动，提高电路可靠性。
　　此外，D2493R的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅极电压，便于与多种驱动电路兼容。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，适用于中高功率密度的设计。该器件还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较为严苛的环境条件下稳定运行。
　　由于其优异的电气性能和机械特性，D2493R广泛应用于工业电源、电动车控制系统、LED照明驱动、UPS不间断电源等领域。同时，该器件的制造工艺成熟，具有较高的良品率和长期供货保障，适合大规模生产。