D2480R 是一款由东芝(Toshiba)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热性能而受到青睐,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备等场景。D2480R 采用小型表面贴装封装(如 SOP 或 TSSOP),适合现代高密度 PCB 设计。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):最大 7.5mΩ(@ VGS=10V)
功耗(PD):40W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOP8 或 TSSOP
D2480R 具备多项优异的电气和热性能特点。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高电源转换效率,适用于高功率密度设计。其次,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于提升开关速度并减少开关损耗,适用于高频开关应用。此外,D2480R 的封装设计具有良好的散热性能,能够有效传导热量,确保器件在高电流工作条件下的稳定性与可靠性。
D2480R 还具备较强的抗雪崩能力和过载保护性能,能够在瞬态负载或短路情况下维持稳定工作,延长系统使用寿命。其栅极氧化层设计能够承受高达 ±20V 的电压,增强了抗静电能力和抗干扰性能,适用于复杂的工业和汽车电子环境。
该 MOSFET 的制造工艺采用了先进的沟槽式结构和高纯度硅材料,确保了器件在高温和高压下的稳定工作。其封装材料符合 RoHS 环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造要求。
D2480R 主要应用于各种功率电子系统中,包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及汽车电子模块。在电源管理领域,D2480R 可用于高效能同步降压转换器,提供稳定的电压输出并减少能量损耗。在电机控制应用中,该器件可作为高侧或低侧开关,实现精确的速度和扭矩控制。此外,D2480R 也适用于高可靠性要求的汽车系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及电池保护电路等。其优异的热性能和低导通电阻使其成为高功率密度和高效率设计的理想选择。
Si7480DP, IRF7480, TPC8107, FDMS8880