类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：2.5A
　　漏源极电压（VDS）：20V
　　栅源极电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(ON)）：最大值130mΩ（VGS=4.5V时）
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-223

D213RPI具备多项优良特性，适用于多种电子系统设计。首先，其低导通电阻特性能够显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS=4.5V时，RDS(ON)最大值仅为130mΩ，这使其在低电压应用中具有优异的性能。
　　其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，额定漏极电流为2.5A，能够满足中等功率应用的需求。同时，漏源极电压（VDS）为20V，适用于低压电源管理系统。
　　此外，D213RPI采用SOT-223封装，具有良好的散热性能和较高的功率密度，适合空间受限的电路设计。其封装设计也便于自动贴装，提高了生产效率。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，增强了系统的可靠性和耐用性。D213RPI还具备良好的抗静电能力，增强了器件在实际应用中的稳定性。
　　最后，D213RPI的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至12V的VGS电压，兼容多种控制电路设计，提高了设计灵活性。

D213RPI适用于多种电子设备中的功率管理与开关控制应用。例如，在便携式电子产品中，它可用于电池供电系统的负载开关，实现高效的电源管理。此外，在DC-DC转换器中，D213RPI的低导通电阻特性可有效降低功率损耗，提高能量转换效率。
　　该器件也常用于电机驱动电路，适用于小型电机或风扇的控制，提供可靠的开关性能。在LED照明系统中，D213RPI可用于调光或开关控制，支持高效节能的照明方案。
　　此外，D213RPI还适用于智能电表、工业自动化设备和消费类电子产品中的电源管理模块。其SOT-223封装形式特别适合空间受限的应用，有助于实现紧凑型电路设计。

2N7002K, BSS138