时间：2025/7/10 5:02:59
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D20V0L1B2WSQ-7 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的功率电子开关器件，广泛应用于高频、高效能要求的电源转换和逆变器领域。该型号具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，能够显著提升系统效率并减少热损耗。
此型号通常用于工业设备、通信电源、太阳能逆变器以及其他需要高性能功率管理的场景。
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅极源极电压(Vgs)：+6V/-4V
连续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：40mΩ
总栅极电荷(Qg)：65nC
反向恢复时间(trr)：<30ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
1. 高效的功率传输能力，得益于其低 Rds(on) 和快速开关性能。
2. 支持高达 2MHz 的开关频率，适用于高频应用。
3. 减少了传统硅基 MOSFET 在高频操作下的开关损耗。
4. 封装采用紧凑型设计，适合空间受限的应用环境。
5. 具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期运行。
6. 内部集成了 ESD 保护功能，增强了产品的鲁棒性。
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器
2. 电机驱动和工业逆变器
3. 太阳能微型逆变器和储能系统
4. 数据中心电源模块
5. 汽车级 DC-DC 转换器
6. 快速充电器和其他消费类电子产品
D20V0L1B2WSQ-8, GAN063-650WSA, Infineon CoolGaN 600V 系列
