D2073Q 时间：2025/8/18 16:18:26 阅读：25

D2073Q是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等高功率场合。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适合高频开关应用。D2073Q采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大50mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

D2073Q的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在60V的漏源电压下能够承受高达12A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。
　　采用先进的沟槽式MOSFET结构，D2073Q在高频开关应用中表现出色，具备快速开关能力和低栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗。其TO-252封装形式具有良好的热管理性能，有助于将热量有效地从芯片传导到散热器或PCB上。
　　此外，D2073Q具有较高的热稳定性和抗过载能力，可在严苛的工业环境中稳定工作。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性，适用于各种栅极驱动电路配置。
　　该MOSFET还具备出色的短路耐受能力，使其在电源转换器和电机控制等应用中更加可靠。综合来看，D2073Q是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种高功率电子系统。

应用

D2073Q主要应用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，能够有效提升转换效率并降低功耗。在DC-DC转换器中，该器件用于升压或降压电路，以实现高效的能量转换。
　　此外，D2073Q常用于电机驱动电路、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关控制。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高功率LED照明驱动电路和电源适配器。
　　在汽车电子领域，D2073Q可用于车载充电器、DC-DC转换器以及电动工具等应用，提供稳定可靠的功率开关性能。同时，它也适用于消费类电子产品中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源插座等设备。
　　由于其良好的热性能和高频响应能力，D2073Q也被广泛用于电源管理IC（PMIC）的配套功率开关器件，实现高效率、小型化的电源设计。