型号：D1UBA80-7062
　　类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：80V
　　最大直流阻断电压（VR）：80V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　正向压降（VF）：典型值0.52V（在1A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA（在80V、25°C条件下）
　　反向恢复时间（trr）：< 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

D1UBA80-7062的核心特性在于其采用肖特基势垒技术实现的低正向导通压降与极快的开关响应速度。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，显著降低了正向导通时的能量损耗，从而提升了整体系统效率。在1A电流下，其典型正向压降仅为0.52V，远低于普通硅二极管的0.7V以上水平，这意味着更少的功耗转化为热量，有助于简化热管理设计并提高电源系统的可靠性。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短（小于5ns），几乎无反向恢复电荷产生，特别适用于高频开关应用如DC-DC变换器、同步整流辅助电路和PWM调制电源中，可有效减少开关瞬态引起的电磁干扰（EMI）和电压尖峰问题。
　　该器件采用双二极管共阴极结构，允许在同一封装内实现两个独立但共享阴极连接的整流路径，常见于全波整流或双路输出隔离设计中。这种集成化方案不仅节省了PCB空间，还提高了组装效率和一致性。SMA封装提供了良好的机械强度与热传导能力，配合适当的敷铜设计可进一步提升散热性能，确保在持续负载条件下仍能维持较低的工作温度。D1UBA80-7062具备高达30A的峰值浪涌电流承受能力，使其能够在输入端出现瞬态过流或上电冲击时保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。同时，其反向漏电流在常温下控制在0.5mA以内，虽然随温度升高会有所增加，但在正常工作范围内仍处于可接受水平。综合来看，D1UBA80-7062在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是一款适用于多种中低功率电源拓扑的理想选择。

D1UBA80-7062广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和移动电源中，它常被用于电池充放电管理电路中的极性保护和反向电流阻断，防止因误接或异常工况导致主控芯片损坏。在DC-DC转换器特别是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑中，该器件可用作续流二极管或箝位二极管，利用其低VF和快速trr特性来降低导通损耗和开关损耗，提升转换效率并减少发热。通信设备中的电源模块也大量采用此类肖特基二极管，以满足高密度集成和高能效的要求。此外，在AC适配器、LED驱动电源和小型开关电源（SMPS）中，D1UBA80-7062可用于次级侧整流环节，尤其是在低压大电流输出场合，其节能优势更为明显。工业控制领域中，该器件可用于传感器接口电路的信号整流与钳位，或在PLC模块中提供电源轨保护。由于其SMA封装易于自动化贴片生产，因此非常适合批量制造环境。在汽车电子中，尽管其额定电压和温度范围未完全覆盖严苛车载标准，但仍可用于部分非关键的车载辅助电源系统中。总体而言，D1UBA80-7062凭借其优异的电气性能和紧凑封装，已成为现代电子设计中不可或缺的基础功率元件之一。

SB180
　　MBR180
　　VS180
　　1N5819WS
　　SS14