类型：肖特基二极管
　　配置：单个
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF@IF）：500mV @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 40V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2
　　极性：有极性
　　热阻结至环境（RθJA）：200°C/W
　　结电容（CJ）：典型值约60pF

D1FH3作为一款高性能肖特基二极管，具备显著的低正向压降特性，这使得它在能量转换过程中能够有效降低功耗并提升整体系统效率。其正向压降在1A电流下仅为500mV左右，远低于传统PN结二极管（通常为700mV以上），从而减少了导通损耗，特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场景。
　　该器件还展现出优异的快速恢复能力，由于肖特基结构本身不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，极大降低了开关过程中的瞬态损耗和电磁干扰（EMI）。这一特点使其非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器以及同步整流辅助电路中。
　　D1FH3的最大重复反向电压为40V，使其适用于中低压电源系统，如USB供电、便携式充电器、LED驱动模块等。同时，其1A的平均整流电流能力足以应对大多数中小功率负载需求。尽管额定电流适中，但其高达30A的峰值浪涌电流耐受能力确保了在启动或瞬态过载条件下仍能可靠工作。
　　SOD-123FL封装是D1FH3的一大亮点，该封装比传统的SOD-123更薄，高度仅约1.1mm，非常适合超薄电子产品，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑。此外，该封装具有良好的散热性能和机械稳定性，支持自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。
　　器件在整个工作温度范围（-55°C至+125°C）内均能保持稳定的电气特性，表明其具备较强的环境适应能力。无论是在高温工业环境还是低温户外场景下，D1FH3都能维持正常功能，增强了系统的鲁棒性。其最大反向漏电流控制在100μA以内（40V时），虽略高于部分高端型号，但在同类产品中仍处于合理水平，不会对大多数应用造成影响。

D1FH3广泛应用于各类需要高效整流与低损耗开关功能的电子电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电源路径管理，例如在移动电源、蓝牙耳机、智能手表等产品中实现电池充放电保护与电压切换控制。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，D1FH3常被用作续流二极管（Flyback Diode）或输出整流元件，尤其适用于升压（Boost）、降压（Buck）及反激式（Flyback）变换器。其快速响应能力和低正向压降有助于提高转换效率并减少发热问题。
　　此外，该器件也适用于AC-DC适配器次级侧整流环节，在小功率电源适配器中替代传统快恢复二极管以提升效率。在LED照明驱动方案中，D1FH3可用于防止反向电压损坏LED串，同时也可在恒流源电路中起到隔离与保护作用。
　　其他典型应用场景还包括输入电源反接保护电路、OR-ing二极管配置、信号解调电路以及噪声抑制网络。由于其表面贴装特性，D1FH3非常适合高密度PCB布局，满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。

SS14
　　1N5819
　　MBR140
　　RB160M-40